Справочник MOSFET. AP14SL50H

 

AP14SL50H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP14SL50H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP14SL50H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:236K  ape
 ap14sl50h.pdf pdf_icon

AP14SL50H

AP14SL50H-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test VDS @ Tj,max. 550VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 0.28 Simple Drive Requirement ID 13AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP14SL50 series are from Advanced Power innovated design andGsilicon process technology to achi

 6.1. Size:222K  ape
 ap14sl50w.pdf pdf_icon

AP14SL50H

AP14SL50W-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test VDS @ Tj,max. 550VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 0.28 Simple Drive Requirement ID 13AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP14SL50 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve

 6.2. Size:217K  ape
 ap14sl50i.pdf pdf_icon

AP14SL50H

AP14SL50I-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Fast Switching Characteristic VDS @ Tj,max. 550VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.28 RoHS Compliant & Halogen-Free ID 13AGSDescriptionAP14SL50 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowest possible on-

 9.1. Size:93K  ape
 ap14s50s-hf.pdf pdf_icon

AP14SL50H

AP14S50S-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Fast Switching Characteristic BVDSS 500VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.27 RoHS Compliant & Halogen-Free ID 13.5AGSDescriptionAP14S50 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowest possible on-GD

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: FDU6692 | STE38NB50 | IAUC100N10S5N040 | STU601S | RFP10N12 | HAT3021R | RU1Z120R

 

 
Back to Top

 


 
.