Справочник MOSFET. AP10N4R5P

 

AP10N4R5P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP10N4R5P
   Маркировка: 10N4R5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 138.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 110 nC
   trⓘ - Время нарастания: 94 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1770 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP10N4R5P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:205K  ape
ap10n4r5p.pdfpdf_icon

AP10N4R5P

AP10N4R5PHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD 100% Rg & UIS Test D BVDSS 100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 4.5m Fast Switching CharacteristicGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series are from Advanced Powerinnovated designAP10N4R5 series are from AdvancedPower innovated desig

 6.1. Size:218K  ape
ap10n4r5i.pdfpdf_icon

AP10N4R5P

AP10N4R5IHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD 100% Rg & UIS Test D BVDSS 100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 4.5m Fast Switching Characteristic ID 70AGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series are from Advanced Powerinnovated designAP10N4R5 series are from AdvancedPower innovate

 6.2. Size:217K  ape
ap10n4r5s.pdfpdf_icon

AP10N4R5P

AP10N4R5SHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD 100% Rg & UIS Test D BVDSS 100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 4.5m Fast Switching CharacteristicGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series are from Advanced Powerinnovated designAP10N4R5 series are from AdvancedPower innovated desig

 9.1. Size:189K  ape
ap10n70p.pdfpdf_icon

AP10N4R5P

AP10N70R/PRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test D BVDSS 600V Fast Switching Characteristic RDS(ON) 0.6 Simple Drive Requirement ID 10AGSDescriptionGAP10N70 series are specially designed as main switching devices forDTO-262(R)Suniversal 90~265VAC off-line AC/DC converter applicati

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: RU1HE3H | 2SK417 | AONS660A60 | TMP6N90H | FS18SM-14A | IMW120R220M1H

 

 
Back to Top

 


 
.