Справочник MOSFET. AP10N4R5I

 

AP10N4R5I Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP10N4R5I
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 94 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1600 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для AP10N4R5I

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP10N4R5I Datasheet (PDF)

 ..1. Size:218K  ape
ap10n4r5i.pdfpdf_icon

AP10N4R5I

AP10N4R5IHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD 100% Rg & UIS Test D BVDSS 100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 4.5m Fast Switching Characteristic ID 70AGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series are from Advanced Powerinnovated designAP10N4R5 series are from AdvancedPower innovate

 6.1. Size:217K  ape
ap10n4r5s.pdfpdf_icon

AP10N4R5I

AP10N4R5SHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD 100% Rg & UIS Test D BVDSS 100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 4.5m Fast Switching CharacteristicGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series are from Advanced Powerinnovated designAP10N4R5 series are from AdvancedPower innovated desig

 6.2. Size:205K  ape
ap10n4r5p.pdfpdf_icon

AP10N4R5I

AP10N4R5PHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD 100% Rg & UIS Test D BVDSS 100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 4.5m Fast Switching CharacteristicGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series are from Advanced Powerinnovated designAP10N4R5 series are from AdvancedPower innovated desig

 9.1. Size:189K  ape
ap10n70p.pdfpdf_icon

AP10N4R5I

AP10N70R/PRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test D BVDSS 600V Fast Switching Characteristic RDS(ON) 0.6 Simple Drive Requirement ID 10AGSDescriptionGAP10N70 series are specially designed as main switching devices forDTO-262(R)Suniversal 90~265VAC off-line AC/DC converter applicati

Другие MOSFET... AP10P230H , AP10P10GJ , AP10N9R0R , AP10N9R0I , AP10N7R5H , AP10N6R0S , AP10N4R5S , AP10N4R5P , BS170 , AP10N012P , AP10N012IN , AP10N012I , AP10N012H , AP10C325Y , AP09T10GH , AP09N20BGH , AP0603GH .

History: 4N70L-TN3-R | DHIZ24B31 | 4946 | STP6N65M2

 

 
Back to Top

 


 
.