Справочник MOSFET. AP09N20BGH

 

AP09N20BGH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AP09N20BGH
   Маркировка: 09N20BGH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 21 nC
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.46 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для AP09N20BGH

 

 

AP09N20BGH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:230K  ape
 ap09n20bgh.pdf

AP09N20BGH AP09N20BGH

AP09N20BGH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 200VD Lower Gate Charge RDS(ON) 460m Fast Switching Characteristics ID 7.8A RoHS Compliant & Halogen-FreeGSDescriptionAP09N20B series are from Advanced Power innovated design andGsilicon process technology to achieve th

 0.1. Size:93K  ape
 ap09n20bgh-hf.pdf

AP09N20BGH AP09N20BGH

AP09N20BGH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 200VD Lower Gate Charge RDS(ON) 460m Fast Switching Characteristics ID 7.8A RoHS Compliant & Halogen-FreeGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theGDSTO-252(H)designer with the best combination of f

 5.1. Size:58K  ape
 ap09n20bgp-hf.pdf

AP09N20BGH AP09N20BGH

AP09N20BGP-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 200VD Lower Gate Charge RDS(ON) 460m Fast Switching Characteristics ID 7.8A RoHS Compliant & Halogen-FreeGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,GT

 5.2. Size:55K  ape
 ap09n20bgs-hf.pdf

AP09N20BGH AP09N20BGH

AP09N20BGS-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 200VD Lower Gate Charge RDS(ON) 460m Fast Switching Characteristics ID 7.8A RoHS Compliant & Halogen-FreeGSDescriptionAP09N20B series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to achieve the l

 5.3. Size:58K  ape
 ap09n20bgi-hf.pdf

AP09N20BGH AP09N20BGH

AP09N20BGI-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 200VD Lower Gate Charge RDS(ON) 460m Fast Switching Characteristics ID 7.8A RoHS Compliant & Halogen-FreeGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,Gr

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top