IRFI740A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFI740A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 134 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm

Тип корпуса: TO262

Аналог (замена) для IRFI740A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFI740A даташит

 ..1. Size:220K  1
 irfi740a irfw740a.pdf pdf_icon

IRFI740A

 7.1. Size:221K  international rectifier
 irfi740glc.pdf pdf_icon

IRFI740A

 7.2. Size:925K  international rectifier
 irfi740g.pdf pdf_icon

IRFI740A

PD - 94854 IRFI740GPbF Lead-Free 11/19/03 Document Number 91156 www.vishay.com 1 IRFI740GPbF Document Number 91156 www.vishay.com 2 IRFI740GPbF Document Number 91156 www.vishay.com 3 IRFI740GPbF Document Number 91156 www.vishay.com 4 IRFI740GPbF Document Number 91156 www.vishay.com 5 IRFI740GPbF Document Number 91156 www.vishay.com 6 IRFI740GPbF TO-220 Full

 7.3. Size:679K  fairchild semi
 irfw740b irfi740b.pdf pdf_icon

IRFI740A

November 2001 IRFW740B / IRFI740B 400V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 10A, 400V, RDS(on) = 0.54 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 41 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 35 pF) This advanced technology has been especially tailored to

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFI644A, IRFI644G, IRFI710A, IRFI720A, IRFI720G, IRFI730A, IRFI730G, IRFI734G, IRF1405, IRFI740G, IRFI740GLC, IRFI744G, IRFI820A, IRFI820G, IRFI830A, IRFI830G, IRFI840A