AP02N90JB datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP02N90JB  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7.2 Ohm

Тип корпуса: TO251S

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP02N90JB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP02N90JB даташит

 ..1. Size:139K  ape
 ap02n90jb.pdf pdf_icon

AP02N90JB

AP02N90JB Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 900V D Fast Switching Characteristic RDS(ON) 7.2 Simple Drive Requirement ID 1.9A RoHS Compliant & Halogen-Free G S Description AP02N90 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest

 6.1. Size:62K  ape
 ap02n90h-hf ap02n90j-hf.pdf pdf_icon

AP02N90JB

AP02N90H/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 900V D Low On-resistance RDS(ON) 7.2 Fast Switching Characteristics ID 1.9A RoHS Compliant & Halogen-Free G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G designer with the best combination of fast switching, D

 6.2. Size:162K  ape
 ap02n90j.pdf pdf_icon

AP02N90JB

AP02N90H/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 900V D Low On-resistance RDS(ON) 7.2 Fast Switching Characteristics ID 1.9A RoHS Compliant & Halogen-Free G S Description AP02N90 series are from Advanced Power innovated design and silicon G process technology to achieve the

 7.1. Size:197K  ape
 ap02n90h.pdf pdf_icon

AP02N90JB

AP02N90H/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 900V D Low On-resistance RDS(ON) 7.2 Fast Switching Characteristics ID 1.9A RoHS Compliant & Halogen-Free G S Description AP02N90 series are from Advanced Power innovated design and silicon G process technology to achieve the

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP09N20BGH, AP0603GH, AP05N50EJ, AP05N50EH, AP05N20GJ, AP05N20GI, AP05N20GH, AP04N70BS-H, IRF640N, AP02N90J, AP02N90H, AP01L60T-H, AP01L60H-A-HF, AP01L60H-H, AP01L60J-A-HF, AP01L60J-H, AP01L60T-HF