AP02N60P-HF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP02N60P-HF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 27 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP02N60P-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP02N60P-HF даташит

 ..1. Size:55K  ape
 ap02n60p-hf.pdf pdf_icon

AP02N60P-HF

AP02N60P-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 600V D Fast Switching Characteristics RDS(ON) 8 Simple Drive Requirement ID 2A G Halogen Free & RoHS Compliant S Description The TO-220 package is universally preferred for all commercial- G industrial applications. The device is sui

 5.1. Size:56K  ape
 ap02n60p-a-hf.pdf pdf_icon

AP02N60P-HF

AP02N60P-A-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 650V Fast Switching Characteristics RDS(ON) 8 Simple Drive Requirement ID 2A RoHS Compliant & Halogen-Free G D TO-220 S Description D The TO-220 package is widely preferred for all commercial-industrial applications. The device is

 6.1. Size:69K  ape
 ap02n60p.pdf pdf_icon

AP02N60P-HF

AP02N60P Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Repetitive Avalanche Rated BVDSS 600V Fast Switching RDS(ON) 8 Simple Drive Requirement ID 2A RoHS Compliant G D TO-220 S Description D The TO-220 package is universally preferred for all commerci

 7.1. Size:102K  ape
 ap02n60h ap02n60j.pdf pdf_icon

AP02N60P-HF

AP02N60H/J RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 600V D 100% Avalanche Test RDS(ON) 8 Simple Drive Requirement ID 1.6A G S Description G D TO-252(H) S The TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrial surface mount applications and suited for AC/DC converters. The th

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP01L60J-H, AP01L60T-HF, AP01N40J, AP02N60H-HF, AP02N60H-H-HF, AP02N60J-HF, AP02N60J-H-HF, AP02N60P, AON7408, AP02N70EJ-HF, AP02N90I-HF, AP03N70H-H-HF, AP03N70I-H-HF, AP03N70J-H-HF, AP0403GH, AP04N60I-HF, AP04N60J-HF