AP05N50I-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AP05N50I-HF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 19 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для AP05N50I-HF
AP05N50I-HF Datasheet (PDF)
ap05n50i-hf.pdf

AP05N50I-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test D BVDSS 500V Fast Switching Characteristic RDS(ON) 1.4 Simple Drive Requirement ID 5.0AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP05N50 provide high blocking voltage to overcome voltage surgeGand sag in the toughest power system wit
ap05n50ib-hf.pdf

AP05N50IB-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test D BVDSS 500V Fast Switching Characteristic RDS(ON) 1.4 Simple Drive Requirement ID 5.0AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP05N50 provide high blocking voltage to overcome voltage surgeand sag in the toughest power system with
ap05n50i.pdf

AP05N50IRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test D BVDSS 500V Fast Switching Characteristic RDS(ON) 1.4 Simple Drive Requirement ID 5.0AGSDescriptionAP05N50 provide high blocking voltage to overcome voltage surgeGand sag in the toughest power system with the best combination of fast DTO
ap05n50h-hf.pdf

AP05N50H-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test D BVDSS 500V Fast Switching Characteristic RDS(ON) 1.4 Simple Drive Requirement ID 5.0AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSGDescriptionDTO-252(H)SThe AP05N50 provide high blocking voltage to overcome voltage surgeand sag in the toug
Другие MOSFET... AP03N70J-H-HF , AP0403GH , AP04N60I-HF , AP04N60J-HF , AP04N70BI-A-HF , AP04N70BI-HF , AP05FN50I , AP05FN50I-HF , IRFB3607 , AP0803GMT-A-HF , AP0904GP-HF , AP09N20BGS-HF , AP09N70P-A-HF , AP09N70P-H-LF , AP1003BST , AP1004CMX , AP1005BSQ .
History: IPP60R160P6
History: IPP60R160P6



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH1008PK | JMSH1008PGQ | JMSH1008PG | JMSH1008PE | JMSH1008PC | JMSH1008AKQ | JMSH1008AGQ | JMSH1008AG | JMSH1008AE | JMSH1008AC | JMSH0606PU | JMSH0606PK | JMSH0606PGQ | JMSH0606PGDQ | JMSH0606PGD | JMSH0606PG
Popular searches
irf3205 | irfz44n datasheet | 2n4401 | bc547 transistor | bd139 | 2n4401 datasheet | irf640 | irf840