AP16N50W-HF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP16N50W-HF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 630 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для AP16N50W-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP16N50W-HF даташит

 ..1. Size:59K  ape
 ap16n50w-hf.pdf pdf_icon

AP16N50W-HF

AP16N50W-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Low On-resistance BVDSS 500V Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.4 Fast Switching Characteristic ID 16A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized

 6.1. Size:58K  ape
 ap16n50w.pdf pdf_icon

AP16N50W-HF

AP16N50W RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Low On-resistance BVDSS 500V Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.4 Fast Switching Characteristic ID 16A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance a

 7.1. Size:151K  ape
 ap16n50p.pdf pdf_icon

AP16N50W-HF

AP16N50P-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 500V Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.4 Fast Switching Characteristic ID 16A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP16N50 series are from Advanced Power innovated

 7.2. Size:58K  ape
 ap16n50i-hf.pdf pdf_icon

AP16N50W-HF

AP16N50I-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Low On-resistance BVDSS 500V Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.4 Fast Switching Characteristic ID 16A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP13P15GS, AP15N03GI, AP15N03GJ, AP15P10GP-HF, AP15P10GS-HF, AP15T03GJ, AP15T25H-HF, AP16N50P-HF, AO3407, AP1801GU, AP1802GU, AP18P10GH-HF, AP18P10GJ-HF, AP18T10GH, AP18T10GJ, AP1A003GMT-HF, AP6679BGJ-HF