Справочник MOSFET. AP16N50W-HF

 

AP16N50W-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP16N50W-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 630 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для AP16N50W-HF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP16N50W-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:59K  ape
 ap16n50w-hf.pdf pdf_icon

AP16N50W-HF

AP16N50W-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Low On-resistance BVDSS 500V Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.4 Fast Switching Characteristic ID 16AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe best combination of fast switching, ruggedized

 6.1. Size:58K  ape
 ap16n50w.pdf pdf_icon

AP16N50W-HF

AP16N50WRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Low On-resistance BVDSS 500V Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.4 Fast Switching Characteristic ID 16AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe best combination of fast switching, ruggedized device design, lowon-resistance a

 7.1. Size:151K  ape
 ap16n50p.pdf pdf_icon

AP16N50W-HF

AP16N50P-HFHalogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 500V Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.4 Fast Switching Characteristic ID 16AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP16N50 series are from Advanced Power innovated

 7.2. Size:58K  ape
 ap16n50i-hf.pdf pdf_icon

AP16N50W-HF

AP16N50I-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Low On-resistance BVDSS 500V Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.4 Fast Switching Characteristic ID 16AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe best combination of fast switching, ruggedized

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP13P15GS , AP15N03GI , AP15N03GJ , AP15P10GP-HF , AP15P10GS-HF , AP15T03GJ , AP15T25H-HF , AP16N50P-HF , 7N60 , AP1801GU , AP1802GU , AP18P10GH-HF , AP18P10GJ-HF , AP18T10GH , AP18T10GJ , AP1A003GMT-HF , AP6679BGJ-HF .

History: AON7296

 

 
Back to Top

 


 
.