Справочник MOSFET. AP18T10GH

 

AP18T10GH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP18T10GH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP18T10GH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:97K  ape
 ap18t10gh j-hf.pdf pdf_icon

AP18T10GH

AP18T10GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement BVDSS 100V Lower Gate Charge RDS(ON) 160m Fast Switching Characteristic ID 9AG Halogen Free & RoHS Compliant ProductSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theGDS TO-252(H)designer with the best combinatio

 ..2. Size:96K  ape
 ap18t10gh ap18t10gj.pdf pdf_icon

AP18T10GH

AP18T10GH/JRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement BVDSS 100V Lower Gate Charge RDS(ON) 160m Fast Switching Characteristic ID 9AGSDescriptionGDS TO-252(H)Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized device desig

 6.1. Size:94K  ape
 ap18t10gi.pdf pdf_icon

AP18T10GH

AP18T10GIRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Fast Switching Performance BVDSS 100VD Single Drive Requirement RDS(ON) 160m Full Isolation Package ID 9AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized device design, low on-resistanc

 6.2. Size:94K  ape
 ap18t10gp.pdf pdf_icon

AP18T10GH

AP18T10GPRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement BVDSS 100V Lower Gate Charge RDS(ON) 160m Fast Switching Characteristic ID 9AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized device design, low on-resistance

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.