AP6679GI. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: AP6679GI
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.3 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 930 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для AP6679GI
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AP6679GI даташит
ap6679gi.pdf
AP6679GI RoHS-compliant Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Low Gate Charge BVDSS -30V Single Drive Requirement RDS(ON) 9m Lower On-resistance ID -48A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G designer with the best combination of fast switching, D TO-220CFM(I) S ruggedized device design, low on-r
ap6679gi-hf.pdf
AP6679GI-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Low Gate Charge BVDSS -30V Single Drive Requirement RDS(ON) 9m Lower On-resistance ID -48A G RoHS Compliant S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G designer with the best combination of fast switching, D S TO-220CFM(I) ruggedized dev
ap6679gp-a ap6679gs-a.pdf
AP6679GS/P-A Pb Free Plating Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Lower On-resistance BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 13.5m Fast Switching Characteristic ID -65A G RoHS Compliant S Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G designer with the best combination of fast switching, D S TO-
ap6679gs.pdf
AP6679GS/P RoHS-compliant Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Lower On-resistance BVDSS -30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 9m Fast Switching Characteristic ID -75A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G designer with the best combination of fast switching, D S TO-263(S) ruggedized device desi
Другие MOSFET... AP1802GU , AP18P10GH-HF , AP18P10GJ-HF , AP18T10GH , AP18T10GJ , AP1A003GMT-HF , AP6679BGJ-HF , AP6679GH , 75N75 , AP6679GJ , AP6679GP-A , AP6679GP-HF , AP6679GS , AP6679GS-A , AP6679GS-HF , AP6680AGM-HF , AP6680GM .
History: AP6N021M | AP30T10GK | AP90P03G
History: AP6N021M | AP30T10GK | AP90P03G
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
irf9540n | bd139 datasheet | irf9640 | 2n3053 | a1015 | mpsa42 | 2n5551 transistor | a1015 transistor












