Справочник MOSFET. AP6679GI

 

AP6679GI Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP6679GI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 930 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP6679GI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:150K  ape
ap6679gi.pdfpdf_icon

AP6679GI

AP6679GIRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Low Gate Charge BVDSS -30V Single Drive Requirement RDS(ON) 9m Lower On-resistance ID -48AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theGdesigner with the best combination of fast switching,DTO-220CFM(I)Sruggedized device design, low on-r

 0.1. Size:153K  ape
ap6679gi-hf.pdfpdf_icon

AP6679GI

AP6679GI-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Low Gate Charge BVDSS -30V Single Drive Requirement RDS(ON) 9m Lower On-resistance ID -48AG RoHS CompliantSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theGdesigner with the best combination of fast switching,DS TO-220CFM(I)ruggedized dev

 7.1. Size:60K  ape
ap6679gp-a ap6679gs-a.pdfpdf_icon

AP6679GI

AP6679GS/P-APb Free Plating ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower On-resistance BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 13.5m Fast Switching Characteristic ID -65AG RoHS CompliantSDescriptionThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide theGdesigner with the best combination of fast switching,DS TO-

 7.2. Size:198K  ape
ap6679gs.pdfpdf_icon

AP6679GI

AP6679GS/PRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower On-resistance BVDSS -30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 9m Fast Switching Characteristic ID -75AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theGdesigner with the best combination of fast switching,DS TO-263(S)ruggedized device desi

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: IPAW60R380CE | 4N60KL-TMS4-T | IAUC100N10S5N040 | STU601S | AP09N50P-HF | RU2H30Q | SMC3407S

 

 
Back to Top

 


 
.