AP2302GN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP2302GN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для AP2302GN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2302GN даташит

 ..1. Size:95K  ape
 ap2302gn.pdf pdf_icon

AP2302GN

AP2302GN RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V gate drive BVDSS 20V Small package outline D RDS(ON) 85m Surface mount package ID 3.2A S SOT-23 G Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, D low on-resistance and cost-effectiven

 0.1. Size:96K  ape
 ap2302gn-hf.pdf pdf_icon

AP2302GN

AP2302GN-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V gate drive BVDSS 20V Small package outline D RDS(ON) 85m Surface mount package ID 3.2A RoHS Compliant S SOT-23 G Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, D low on-resistanc

 8.1. Size:91K  ape
 ap2302n-hf.pdf pdf_icon

AP2302GN

AP2302N-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20V D Lower Gate Charge RDS(ON) 64m Surface Mount Package ID 3.2A S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23S G D Description Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resista

 8.2. Size:176K  ape
 ap2302agn.pdf pdf_icon

AP2302GN

AP2302AGN-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20V D Lower Gate Charge RDS(ON) 42m Surface Mount Package ID 4.6A S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23 G D Description AP2302A series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the l

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP6681GMT-HF, AP20N15AGI-HF, AP20P02GH, AP20P02GJ, AP20T15GM-HF, AP2301AGN, AP2301EN-HF, AP2301GN, AOD4184A, AP2302N-HF, AP2303GN, AP2305AGN, AP2306GN, AP2309GN, AP2310GN, AP2313GN, AP2320GN-HF