Справочник MOSFET. IRFI840G

 

IRFI840G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFI840G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 67(max) nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для IRFI840G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFI840G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1303K  international rectifier
 irfi840gpbf.pdf pdf_icon

IRFI840G

PD - 94864IRFI840GPbF Lead-Freewww.irf.com 112/03/03IRFI840GPbF2 www.irf.comIRFI840GPbFwww.irf.com 3IRFI840GPbF4 www.irf.comIRFI840GPbFwww.irf.com 5IRFI840GPbF6 www.irf.comIRFI840GPbFTO-220 Full-Pak Package OutlineDimensions are shown in millimeters (inches)TO-220 Full-Pak Part Marking InformationE XAMP L E : T H IS IS AN IR F I84 0G WIT H AS S E

 ..2. Size:169K  international rectifier
 irfi840g.pdf pdf_icon

IRFI840G

 ..3. Size:2785K  vishay
 irfi840g sihfi840g.pdf pdf_icon

IRFI840G

IRFI840G, SiHFI840GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 500Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s,RDS(on) ()VGS = 10 V 0.85f = 60 Hz)RoHS*COMPLIANTQg (Max.) (nC) 67 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 10 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 34 Low Thermal ResistanceConfiguration Si

 ..4. Size:825K  cn vbsemi
 irfi840gpbf.pdf pdf_icon

IRFI840G

IRFI840GPBFwww.VBsemi.twN hannel 650 D S Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYVDS (V) at TJ max. 650 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.9 Reduced switching and conduction lossesQg max. (nC)57 Ultra low gate charge (Qg)Qgs (nC)4.0 Avalanche energy rated (UIS)Qgd (nC) 5.4Configur

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFI740G , IRFI740GLC , IRFI744G , IRFI820A , IRFI820G , IRFI830A , IRFI830G , IRFI840A , IRF9640 , IRFI840GLC , IRFI9520N , IRFI9530G , IRFI9540N , IRFI9620G , IRFI9630G , IRFI9634G , IRFI9640G .

History: IRLMS5703 | 3SK129 | BUZ11 | FDB16AN08A0 | FDS6898AZF085 | BR4953

 

 
Back to Top

 


 
.