AP2322GN-HF datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: AP2322GN-HF 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.83 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
Тип корпуса: SOT23
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для AP2322GN-HF
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AP2322GN-HF даташит
ap2322gn-hf.pdf
AP2322GN-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 1.8V gate drive BVDSS 20V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 90m Surface mount package ID 2.5A S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23 G D Description Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to G achieve the lowest possible
ap2322gn-3.pdf
SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET AP2322GN (KP2322GN) SOT-23-3 Unit mm +0.2 2.9 -0.1 +0.1 0.4-0.1 3 Features VDS (V) = 20V ID = 2.5 A 1 2 RDS(ON) 90m (VGS = 4.5V) +0.02 +0.1 0.15 -0.02 0.95 -0.1 +0.1 1.9 -0.2 RDS(ON) 120m (VGS = 2.5V) RDS(ON) 150m (VGS = 1.8V) 1. Gate 2. Source 3. Drain D G S Absolute Maximum Rating
ap2322gn.pdf
AP2322GN Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 1.8V Gate Drive BVDSS 20V D Small Package Outline RDS(ON) 90m Surface Mount Package ID 2.5A S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23S G D Description Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resis
ap2322gn.pdf
SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET AP2322GN (KP2322GN) SOT-23 Unit mm 2.9+0.1 -0.1 +0.1 0.4-0.1 3 Features VDS (V) = 20V ID = 2.5 A 1 2 +0.1 +0.05 0.95 -0.1 RDS(ON) 90m (VGS = 4.5V) 0.1 -0.01 +0.1 1.9 -0.1 RDS(ON) 120m (VGS = 2.5V) RDS(ON) 150m (VGS = 1.8V) 1. Gate 2. Source 3. Drain D G S Absolute Maximum Ratings Ta
Другие IGBT... AP2303GN, AP2305AGN, AP2306GN, AP2309GN, AP2310GN, AP2313GN, AP2320GN-HF, AP2320N-HF, 20N60, AP2325GEU6-HF, AP2333EN-HF, AP2336GN-HF, AP2340GN-HF, AP2346GN-HF, AP2451GY, AP2531GY-HF, AP25T03GJ
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
irf1404 | bc550 | irf9530 | 2n2222a transistor | irfp250 | irf640n datasheet | irf540 datasheet | irf530




