Справочник MOSFET. AP2346GN-HF

 

AP2346GN-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP2346GN-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2346GN-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:55K  ape
 ap2346gn-hf.pdf pdf_icon

AP2346GN-HF

AP2346GN-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 1.8V Gate Drive BVDSS 20VD Lower Gate Charge RDS(ON) 21m Fast Switching Performance ID 6.5AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23GDDescriptionAP2346 series are from Advanced Power innovated design and siliconprocess technology to achieve th

 6.1. Size:138K  ape
 ap2346gn.pdf pdf_icon

AP2346GN-HF

AP2346GN-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 1.8V Gate Drive BVDSS 20VD Lower Gate Charge RDS(ON) 21m Fast Switching Performance ID 6.5AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23GDDescriptionAP2346 series are from Advanced Power innovated design and siliconprocess technology to achieve th

 9.1. Size:57K  ape
 ap2344gen-hf.pdf pdf_icon

AP2346GN-HF

AP2344GEN-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 1.8V Gate Drive BVDSS 20VD Lower Gate Charge RDS(ON) 23m Fast Switching Performance ID 6.2AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23GDDescriptionAP2344 series are from Advanced Power innovated design and siliconGprocess technology to achiev

 9.2. Size:61K  ape
 ap2342gk-hf.pdf pdf_icon

AP2346GN-HF

AP2342GK-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60VD Lower Gate Charge RDS(ON) 2S Fast Switching Characteristic ID 590mAD RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-223GDDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with theGbest combination of fast swit

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FQP1N50 | NCEP065N10GU

 

 
Back to Top

 


 
.