Справочник MOSFET. AP2R803GH

 

AP2R803GH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP2R803GH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 790 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2R803GH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:93K  ape
 ap2r803gh.pdf pdf_icon

AP2R803GH

AP2R803GHRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 2.8m Fast Switching Characteristic ID 75AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the bestGDcombination of fast switching, ruggedized device design, low on-resista

 0.1. Size:93K  ape
 ap2r803gh-hf.pdf pdf_icon

AP2R803GH

AP2R803GH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 2.8m Fast Switching Characteristic ID 75AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with theGDbest combination of fast switching, rugg

 6.1. Size:59K  ape
 ap2r803gmt-hf.pdf pdf_icon

AP2R803GH

AP2R803GMT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 30V SO-8 Compatible RDS(ON) 3m Low On-resistance ID 105AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDDDDDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,rugged

 6.2. Size:137K  ape
 ap2r803gjb.pdf pdf_icon

AP2R803GH

AP2R803GJBHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 2.8m Fast Switching Characteristic ID3 75AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP2R803 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowest p

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SI9435DY-T1 | SKI04024

 

 
Back to Top

 


 
.