AP2R803GH - описание и поиск аналогов

 

Аналоги AP2R803GH. Основные параметры


   Наименование производителя: AP2R803GH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 790 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для AP2R803GH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2R803GH даташит

 ..1. Size:93K  ape
 ap2r803gh.pdf pdf_icon

AP2R803GH

AP2R803GH RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 2.8m Fast Switching Characteristic ID 75A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best G D combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resista

 0.1. Size:93K  ape
 ap2r803gh-hf.pdf pdf_icon

AP2R803GH

AP2R803GH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 2.8m Fast Switching Characteristic ID 75A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the G D best combination of fast switching, rugg

 6.1. Size:59K  ape
 ap2r803gmt-hf.pdf pdf_icon

AP2R803GH

AP2R803GMT-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 30V SO-8 Compatible RDS(ON) 3m Low On-resistance ID 105A G RoHS Compliant & Halogen-Free S D D D D Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, rugged

 6.2. Size:137K  ape
 ap2r803gjb.pdf pdf_icon

AP2R803GH

AP2R803GJB Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 2.8m Fast Switching Characteristic ID3 75A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP2R803 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest p

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP2611GY-HF , AP2623GY-HF , AP2625GY-HF , AP2732GK-HF , AP2761I-A-HF , AP2762I-A , AP2764AP-A , AP2764I-A-HF , 8205A , AP2R803GM-HF , AP2R803GS-HF , AP30P10GS-HF , AP3310GJ , AP3801GM-HF , AP3989I-HF , AP3R604GH , AP4002H-HF .

History: JMTG170N06A | AGM15N10AP | JMTG3008D | JMTG3008A | HSBA3052 | JMTG130P04A | AO4838

 

 
Back to Top

 


 
.