Справочник MOSFET. AP40T03GJ-HF

 

AP40T03GJ-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP40T03GJ-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 62 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: TO251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP40T03GJ-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:97K  ape
 ap40t03gh-hf ap40t03gj-hf.pdf pdf_icon

AP40T03GJ-HF

AP40T03GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement BVDSS 30V Low Gate Charge RDS(ON) 25m Fast Switching Characteristic ID 28AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theGDdesigner with the best combination of fast switching,TO-

 5.1. Size:214K  ape
 ap40t03gj.pdf pdf_icon

AP40T03GJ-HF

AP40T03GH/JRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement BVDSS 30V Low Gate Charge RDS(ON) 25m Fast Switching ID 28AGSDescriptionGAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theDTO-252(H)Sdesigner with the best combination of fast switching,ruggedized device design, low on-resista

 6.1. Size:97K  ape
 ap40t03gi.pdf pdf_icon

AP40T03GJ-HF

AP40T03GIRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETDD Low Gate Charge BVDSS 30V Single Drive Requirement RDS(ON) 25m Lower On-resistance ID 28AGGSSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized device design, low on-resistance and

 6.2. Size:96K  ape
 ap40t03gi-hf.pdf pdf_icon

AP40T03GJ-HF

AP40T03GI-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Low Gate Charge BVDSS 30V Single Drive Requirement RDS(ON) 25m Lower On-resistance ID 28AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized device de

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: MRF5003 | IRFR120TR | RQK0608BQDQS | SRC60R160FB | 4N65KG-T60-K | STP5N62K3 | AONS36316

 

 
Back to Top

 


 
.