AP9994AGP-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9994AGP-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 930 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для AP9994AGP-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9994AGP-HF даташит

 ..1. Size:56K  ape
 ap9994agp-hf.pdf pdf_icon

AP9994AGP-HF

AP9994AGP-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 60V Lower On-resistance RDS(ON) 3.6m Fast Switching Characteristic ID 190A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP9994 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowes

 8.1. Size:56K  ape
 ap9994gp-hf.pdf pdf_icon

AP9994AGP-HF

AP9994GP-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 60V Lower On-resistance RDS(ON) 2.95m Fast Switching Characteristic ID 215A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP9994 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowes

 9.1. Size:54K  ape
 ap9995gh j-hf.pdf pdf_icon

AP9994AGP-HF

AP9995GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 90V Lower Gate Chage RDS(ON) 240m Fast Switching Characteristic ID 7A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the desi

 9.2. Size:182K  ape
 ap9997gm.pdf pdf_icon

AP9994AGP-HF

AP9997GM RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Fast Switching Characteristic BVDSS 95V D2 D2 Single Drive Requirement RDS(ON) 110m D1 D1 Surface Mount Package ID 3A G2 S2 G1 S1 SO-8 Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D2 D1 designer with the best combination of fast switching, rugge

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP4228GM-HF, AP4407GP-HF, AP4407GS-HF, AP4407S, AP4409AGEH-HF, AP4409AGEM-HF, AP4409AGM-HF, AP9990GI-HF, BS170, AP9994GP-HF, AP9997GK-HF, AP9997GP, AP9998GI-HF, AP99LT06GI-HF, AP99LT06GP-HF, AP99LT06GS-HF, AP99T03GR-HF