Справочник MOSFET. AP9998GI-HF

 

AP9998GI-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9998GI-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9998GI-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:58K  ape
ap9998gi-hf.pdfpdf_icon

AP9998GI-HF

AP9998GI-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS 100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 25m Fast Switching Characteristic ID 44AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP9998 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowest po

 7.1. Size:59K  ape
ap9998gs-hf.pdfpdf_icon

AP9998GI-HF

AP9998GS-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS 100V Single Drive Requirement RDS(ON) 25m Fast Switching Characteristic ID 44AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized

 7.2. Size:59K  ape
ap9998gh-hf.pdfpdf_icon

AP9998GI-HF

AP9998GH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS 100V Single Drive Requirement RDS(ON) 25m Fast Switching Characteristic ID 44AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionGAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theDSTO-252(H)designer with the best combination of fast sw

 9.1. Size:54K  ape
ap9995gh j-hf.pdfpdf_icon

AP9998GI-HF

AP9995GH/J-HFHalogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 90V Lower Gate Chage RDS(ON) 240m Fast Switching Characteristic ID 7AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the desi

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: JCS160N08 | OSG55R074HSZF | FDC654P | SPD04N60C3 | 2SK1501 | 2SK3093LS | PNMET20V06E

 

 
Back to Top

 


 
.