AP4415GJ-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP4415GJ-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 35 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 52 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для AP4415GJ-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4415GJ-HF даташит

 ..1. Size:101K  ape
 ap4415gh-hf ap4415gj-hf.pdf pdf_icon

AP4415GJ-HF

AP4415GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -35V D Low On-resistance RDS(ON) 36m Fast Switching Characteristic ID -24A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description The TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrial surface G D S mount applications a

 6.1. Size:99K  ape
 ap4415gh ap4415gj.pdf pdf_icon

AP4415GJ-HF

AP4415GH/J RoHS-compliant Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -35V D Low On-resistance RDS(ON) 36m Fast Switching Characteristic ID -24A G S Description G D The TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrial S TO-252(H) surface mount applications and suited for low voltage

 7.1. Size:69K  ape
 ap4415gm.pdf pdf_icon

AP4415GJ-HF

AP4415GM Pb Free Plating Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -35V D D Low On-resistance D RDS(ON) 32m D Fast Switching Characteristic ID -7.3A G S S SO-8 S Description D The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best

 9.1. Size:70K  ape
 ap4411gm.pdf pdf_icon

AP4415GJ-HF

AP4411GM Pb Free Plating Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30V D D Low On-resistance D RDS(ON) 25m D Fast Switching ID -8.2A G S S SO-8 S Description D The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP99T03GR-HF, AP9T15GH-HF, AP9T15GJ-HF, AP9U18GH, AP4410AGM-HF, AP4411GM-HF, AP4413GM-HF, AP4415GH-HF, 2N60, AP4424GM-HF, AP4433GH-HF, AP4433GI-HF, AP4434GM-HF, AP4435GH, AP4435GJ, AP4453AGYT-HF, AP4501AGM