Справочник MOSFET. AP4415GJ-HF

 

AP4415GJ-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP4415GJ-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 35 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 52 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для AP4415GJ-HF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4415GJ-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:101K  ape
 ap4415gh-hf ap4415gj-hf.pdf pdf_icon

AP4415GJ-HF

AP4415GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -35VD Low On-resistance RDS(ON) 36m Fast Switching Characteristic ID -24AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionThe TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrial surfaceGDSmount applications a

 6.1. Size:99K  ape
 ap4415gh ap4415gj.pdf pdf_icon

AP4415GJ-HF

AP4415GH/JRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -35VD Low On-resistance RDS(ON) 36m Fast Switching Characteristic ID -24AGSDescriptionGDThe TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrialSTO-252(H)surface mount applications and suited for low voltage

 7.1. Size:69K  ape
 ap4415gm.pdf pdf_icon

AP4415GJ-HF

AP4415GMPb Free Plating ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETSimple Drive Requirement BVDSS -35V DDLow On-resistance D RDS(ON) 32m DFast Switching Characteristic ID -7.3A GSSSO-8SDescriptionDThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best

 9.1. Size:70K  ape
 ap4411gm.pdf pdf_icon

AP4415GJ-HF

AP4411GMPb Free Plating ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETSimple Drive Requirement BVDSS -30V DDLow On-resistance D RDS(ON) 25m DFast Switching ID -8.2A GSSSO-8SDescriptionDThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP99T03GR-HF , AP9T15GH-HF , AP9T15GJ-HF , AP9U18GH , AP4410AGM-HF , AP4411GM-HF , AP4413GM-HF , AP4415GH-HF , IRF830 , AP4424GM-HF , AP4433GH-HF , AP4433GI-HF , AP4434GM-HF , AP4435GH , AP4435GJ , AP4453AGYT-HF , AP4501AGM .

History: IPA60R1K0CE | LSD60R1K4HT | RHU003N03FRA | IPB160N04S2-03 | HY3708P | AOB9N70L | HM2310B

 

 
Back to Top

 


 
.