Справочник MOSFET. AP4435GH

 

AP4435GH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP4435GH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 64 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 195 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для AP4435GH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4435GH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:214K  ape
ap4435gh ap4435gj.pdfpdf_icon

AP4435GH

AP4435GH/JRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30VD Lower On-resistance RDS(ON) 20m Fast Switching Characteristic ID -40AGSDescriptionGThe TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrialDS TO-252(H)surface mount applications and suited for low voltag

 0.1. Size:100K  ape
ap4435gh-hf ap4435gj-hf.pdfpdf_icon

AP4435GH

AP4435GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30VD Lower On-resistance RDS(ON) 20m Fast Switching Characteristic ID -40AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theGDdesigner with the best combination of fast switching,

 7.1. Size:202K  ape
ap4435gm-hf.pdfpdf_icon

AP4435GH

AP4435GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30VDDD Low On-resistance RDS(ON) 20mD Fast Switching Characteristic ID -9AGS RoHS CompliantSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,

 7.2. Size:54K  ape
ap4435gm.pdfpdf_icon

AP4435GH

AP4435GMRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30VDD Low On-resistance D RDS(ON) 20mD Fast Switching Characteristic ID -9AGSSSO-8 SDescriptionDThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized device d

Другие MOSFET... AP4411GM-HF , AP4413GM-HF , AP4415GH-HF , AP4415GJ-HF , AP4424GM-HF , AP4433GH-HF , AP4433GI-HF , AP4434GM-HF , IRF730 , AP4435GJ , AP4453AGYT-HF , AP4501AGM , AP4501GM-HF , AP4502GM-HF , AP4503GM-HF , AP4511GED , AP4511GH-HF .

History: SQJ570EP | P0550ED

 

 
Back to Top

 


 
.