AP4501AGM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP4501AGM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7(5.3) A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028(0.05) Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для AP4501AGM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4501AGM даташит

 ..1. Size:118K  ape
 ap4501agm.pdf pdf_icon

AP4501AGM

AP4501AGM RoHS-compliant Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V D2 D2 Low On-resistance D1 RDS(ON) 28m D1 Fast Switching Performance ID 7A G2 S2 P-CH BVDSS -30V G1 S1 SO-8 RDS(ON) 50m Description ID -5.3A Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best co

 ..2. Size:891K  cn vbsemi
 ap4501agm.pdf pdf_icon

AP4501AGM

AP4501AGM www.VBsemi.tw N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Definition ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.018 at VGS = 10 V 8e 100 % Rg and UIS Tested N-Channel 30 0.020 at VGS = 8 V 8e 6.2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.024 at VGS = 4.5 V 8e 0.032 at VG

 0.1. Size:120K  ape
 ap4501agm-hf.pdf pdf_icon

AP4501AGM

AP4501AGM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V D2 D2 Low On-resistance RDS(ON) 28m D1 D1 Fast Switching Performance ID 7A G2 RoHS Compliant P-CH BVDSS -30V S2 G1 S1 RDS(ON) 50m SO-8 Description ID -5.3A Advanced Power MOSFETs from APEC provide the desi

 6.1. Size:125K  ape
 ap4501agem-hf.pdf pdf_icon

AP4501AGM

AP4501AGEM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V D2 D2 Low On-resistance RDS(ON) 20m D1 D1 Fast Switching Performance ID 8A G2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30V S2 G1 S1 SO-8 RDS(ON) 60m Description ID -4.6A Advanced Power MOSFETs from APEC

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP4415GJ-HF, AP4424GM-HF, AP4433GH-HF, AP4433GI-HF, AP4434GM-HF, AP4435GH, AP4435GJ, AP4453AGYT-HF, 7N60, AP4501GM-HF, AP4502GM-HF, AP4503GM-HF, AP4511GED, AP4511GH-HF, AP4525GEH-HF, AP4533GEH-HF, AP4565GM