Справочник MOSFET. AP4501AGM

 

AP4501AGM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP4501AGM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7(5.3) A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8.4 nC
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028(0.05) Ohm
   Тип корпуса: SO8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4501AGM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:118K  ape
 ap4501agm.pdf pdf_icon

AP4501AGM

AP4501AGMRoHS-compliant ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30VD2D2 Low On-resistance D1 RDS(ON) 28mD1 Fast Switching Performance ID 7AG2S2 P-CH BVDSS -30VG1S1SO-8RDS(ON) 50mDescription ID -5.3AAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best co

 ..2. Size:891K  cn vbsemi
 ap4501agm.pdf pdf_icon

AP4501AGM

AP4501AGMwww.VBsemi.twN- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () DefinitionID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.018 at VGS = 10 V 8e 100 % Rg and UIS TestedN-Channel 30 0.020 at VGS = 8 V 8e 6.2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.024 at VGS = 4.5 V 8e0.032 at VG

 0.1. Size:120K  ape
 ap4501agm-hf.pdf pdf_icon

AP4501AGM

AP4501AGM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30VD2D2 Low On-resistance RDS(ON) 28mD1D1 Fast Switching Performance ID 7AG2 RoHS Compliant P-CH BVDSS -30VS2G1S1RDS(ON) 50mSO-8Description ID -5.3AAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the desi

 6.1. Size:125K  ape
 ap4501agem-hf.pdf pdf_icon

AP4501AGM

AP4501AGEM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30VD2D2 Low On-resistance RDS(ON) 20mD1D1 Fast Switching Performance ID 8AG2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30VS2G1S1SO-8RDS(ON) 60mDescription ID -4.6AAdvanced Power MOSFETs from APEC

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: BSC0993ND | 3SK227 | CSFR2N60F | IRFS441 | IRFS251 | IRFS331 | SSP2N60A

 

 
Back to Top

 


 
.