AP4503GM-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP4503GM-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.9(6.3) A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028(0.036) Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для AP4503GM-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4503GM-HF даташит

 ..1. Size:122K  ape
ap4503gm-hf.pdfpdf_icon

AP4503GM-HF

AP4503GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V D2 D2 Low On-resistance RDS(ON) 28m D1 D1 Fast Switching Performance ID 6.9A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30V G1 SO-8 S1 RDS(ON) 36m Description ID -6.3A Advanced Power MOSFETs from APEC p

 6.1. Size:121K  ape
ap4503gm.pdfpdf_icon

AP4503GM-HF

AP4503GM RoHS-compliant Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V D2 D2 Low On-resistance RDS(ON) 28m D1 D1 Fast Switching Performance ID 6.9A G2 S2 P-CH BVDSS -30V G1 S1 SO-8 RDS(ON) 36m Description ID -6.3A Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best

 6.2. Size:964K  cn vbsemi
ap4503gm.pdfpdf_icon

AP4503GM-HF

AP4503GM www.VBsemi.tw N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Definition ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.018 at VGS = 10 V 8e 100 % Rg and UIS Tested N-Channel 30 0.020 at VGS = 8 V 8e 6.2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.024 at VGS = 4.5 V 8e 0.032 at VGS

 8.1. Size:146K  ape
ap4503bgo-hf.pdfpdf_icon

AP4503GM-HF

AP4503BGO-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement G2 N-CH BVDSS 30V S2 S2 D2 Lower Gate Charge RDS(ON) 23m G1 Fast Switching Performance S1 ID 6.3A S1 TSSOP-8 D1 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30V RDS(ON) 35m Description ID -5.2A Advanced Power MOSFETs from APEC

Другие IGBT... AP4433GI-HF, AP4434GM-HF, AP4435GH, AP4435GJ, AP4453AGYT-HF, AP4501AGM, AP4501GM-HF, AP4502GM-HF, IRF830, AP4511GED, AP4511GH-HF, AP4525GEH-HF, AP4533GEH-HF, AP4565GM, AP80T10AGP-HF, AP80T12GP-HF, AP9962AGH-HF