Справочник MOSFET. AP4503GM-HF

 

AP4503GM-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP4503GM-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.9(6.3) A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028(0.036) Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для AP4503GM-HF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4503GM-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:122K  ape
 ap4503gm-hf.pdf pdf_icon

AP4503GM-HF

AP4503GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30VD2D2 Low On-resistance RDS(ON) 28mD1D1 Fast Switching Performance ID 6.9AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30VG1SO-8 S1RDS(ON) 36mDescription ID -6.3AAdvanced Power MOSFETs from APEC p

 6.1. Size:121K  ape
 ap4503gm.pdf pdf_icon

AP4503GM-HF

AP4503GMRoHS-compliant ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30VD2D2 Low On-resistance RDS(ON) 28mD1D1 Fast Switching Performance ID 6.9AG2S2P-CH BVDSS -30VG1S1SO-8RDS(ON) 36mDescription ID -6.3AAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best

 6.2. Size:964K  cn vbsemi
 ap4503gm.pdf pdf_icon

AP4503GM-HF

AP4503GMwww.VBsemi.twN- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () DefinitionID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.018 at VGS = 10 V 8e 100 % Rg and UIS TestedN-Channel 30 0.020 at VGS = 8 V 8e 6.2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.024 at VGS = 4.5 V 8e0.032 at VGS

 8.1. Size:146K  ape
 ap4503bgo-hf.pdf pdf_icon

AP4503GM-HF

AP4503BGO-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement G2 N-CH BVDSS 30VS2S2D2 Lower Gate Charge RDS(ON) 23mG1 Fast Switching Performance S1 ID 6.3AS1TSSOP-8 D1 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30VRDS(ON) 35mDescription ID -5.2AAdvanced Power MOSFETs from APEC

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP4433GI-HF , AP4434GM-HF , AP4435GH , AP4435GJ , AP4453AGYT-HF , AP4501AGM , AP4501GM-HF , AP4502GM-HF , IRF1405 , AP4511GED , AP4511GH-HF , AP4525GEH-HF , AP4533GEH-HF , AP4565GM , AP80T10AGP-HF , AP80T12GP-HF , AP9962AGH-HF .

History: SMC3415A | AONR21311C

 

 
Back to Top

 


 
.