AP9962AGH-HF datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: AP9962AGH-HF 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27.8 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 12 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
Тип корпуса: TO252
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для AP9962AGH-HF
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AP9962AGH-HF даташит
ap9962agh-hf ap9962agj-hf ap9962agj-hf.pdf
AP9962AGH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 40V Single Drive Requirement RDS(ON) 20m Surface Mount Package ID 32A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, G D ruggedized
ap9962agh.pdf
AP9962AGH RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 40V D Single Drive Requirement RDS(ON) 20m Surface Mount Package ID 32A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, G D ruggedized device design, low on-resistance and
ap9962agm-hf.pdf
AP9962AGM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 40V D2 D2 D1 Single Drive Requirement RDS(ON) 25m D1 Surface Mount Package ID 7A G2 S2 RoHS Compliant G1 S1 SO-8 Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D2 D1 designer with the best combination of fast switchin
ap9962agp-hf.pdf
AP9962AGP-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Lower Gate Charge BVDSS 40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 20m Fast Switching Characteristic ID 32A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized
Другие IGBT... AP4503GM-HF, AP4511GED, AP4511GH-HF, AP4525GEH-HF, AP4533GEH-HF, AP4565GM, AP80T10AGP-HF, AP80T12GP-HF, MMIS60R580P, AP9962GM, AP9967GM-HF, AP9971AGH-HF, AP9971AGJ-HF, AP9971AGS-HF, AP9971GH-HF, AP9971GJ-HF, AP9974GS
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
tip35c datasheet | 2n5401 datasheet | mj21194g | irfz34n | mn2488 | irfb438 | mj21193g | irf3710 pinout







