AP9967GM-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9967GM-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0115 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для AP9967GM-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9967GM-HF даташит

 ..1. Size:55K  ape
ap9967gm-hf.pdfpdf_icon

AP9967GM-HF

AP9967GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 40V D D D Simple Drive Requirement RDS(ON) 11.5m D Fast Switching Characteristic ID 11A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 D Description AP9967 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technolog

 7.1. Size:57K  ape
ap9967gh-hf.pdfpdf_icon

AP9967GM-HF

AP9967GH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS 40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 13.5m Fast Switching Characteristic ID 33A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G D designer with the best combination of fast switching,

 9.1. Size:95K  ape
ap9963gp-hf.pdfpdf_icon

AP9967GM-HF

AP9963GP-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Simple Drive Requirement BVDSS 40V Low Gate Charge RDS(ON) 4m Fast Switching Characteristic ID 160A G Halogen Free & RoHS Compliant Product S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, rugge

 9.2. Size:204K  ape
ap9962agm-hf.pdfpdf_icon

AP9967GM-HF

AP9962AGM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 40V D2 D2 D1 Single Drive Requirement RDS(ON) 25m D1 Surface Mount Package ID 7A G2 S2 RoHS Compliant G1 S1 SO-8 Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D2 D1 designer with the best combination of fast switchin

Другие IGBT... AP4511GH-HF, AP4525GEH-HF, AP4533GEH-HF, AP4565GM, AP80T10AGP-HF, AP80T12GP-HF, AP9962AGH-HF, AP9962GM, AO4407A, AP9971AGH-HF, AP9971AGJ-HF, AP9971AGS-HF, AP9971GH-HF, AP9971GJ-HF, AP9974GS, AP9977AGH-HF, AP9980GH-HF