AP9916GH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AP9916GH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 18 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 98 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 258 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
Тип корпуса: TO252
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
AP9916GH Datasheet (PDF)
ap9916gh ap9916gj.pdf

AP9916GH/JPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETLow on-resistance BVDSS 18V DCapable of 2.5V gate drive RDS(ON) 25m Low drive current ID 35A GSurface mount package SDescriptionGThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide theDS TO-25
ap9916h-j.pdf

AP9916H/JAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETLow on-resistance BVDSS 18V DCapable of 2.5V gate drive RDS(ON) 25m Low drive current ID 35A GSingle Drive Requirement SDescriptionGThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide theDSTO-252(H)designer with th
ap9918h ap9918j.pdf

AP9918H/JAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETLow on-resistance BVDSS 20V DCapable of 2.5V gate drive RDS(ON) 14m Low drive current ID 45A GSurface mount package SDescriptionGThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide theDSTO-252(H)designer with the b
ap9915h ap9915j.pdf

AP9915H/JAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETLow on-resistance BVDSS 20V DCapable of 2.5V gate drive RDS(ON) 50m Low drive current ID 20A GSingle Drive Requirement SDescriptionGThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide theDSTO-252(H)designer with th
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: UT20N03G-TN3-R | RFP25N05L | 2SK3572-Z | AP4800GYT-HF | IRFHM9331 | SSP5N90 | BR8810MF
History: UT20N03G-TN3-R | RFP25N05L | 2SK3572-Z | AP4800GYT-HF | IRFHM9331 | SSP5N90 | BR8810MF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
p75nf75 | d880 transistor | 2sc1845 | p60nf06 | 2sa1837 | ksc1845 transistor | irf630 datasheet | mpsa13 equivalent