AP9960GH-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9960GH-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для AP9960GH-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9960GH-HF даташит

 ..1. Size:97K  ape
 ap9960gh-hf ap9960gj-hf.pdf pdf_icon

AP9960GH-HF

AP9960GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 40V Low Gate Charge RDS(ON) 16m Fast Switching Characteristic ID 42A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized d

 6.1. Size:71K  ape
 ap9960gh ap9960gj.pdf pdf_icon

AP9960GH-HF

AP9960GH/J Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 40V Low Gate Charge RDS(ON) 16m Fast Switching ID 42A G S Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, G D rug

 7.1. Size:69K  ape
 ap9960gm-hf.pdf pdf_icon

AP9960GH-HF

AP9960GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-Resistance D2 BVDSS 40V D2 D1 Fast Switching Speed RDS(ON) 20m D1 Surface Mount Package ID 7.8A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free G1 SO-8 S1 Description D2 D1 Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fa

 7.2. Size:180K  ape
 ap9960gm.pdf pdf_icon

AP9960GH-HF

AP9960GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Low On-Resistance D2 BVDSS 40V D2 D1 Fast Switching Speed RDS(ON) 20m D1 Surface Mount Package ID 7.8A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free G1 SO-8 S1 Description D2 AP9960 series are from

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP9980GJ-HF, AP9980GM-HF, AP9915GK, AP9916GH, AP9916GJ, AP9918GH, AP9938GEY-HF, AP9938GEYT-HF, IRLZ44N, AP9960GJ-HF, AP70T03AH, AP70T03AJ, AP70T03AS, AP70T03GH-HF, AP70U02GH, AP72T03GJ-HF, AP72T03GP