AP9575GH. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: AP9575GH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.3 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 14 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для AP9575GH
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AP9575GH даташит
ap9575gh ap9575gj.pdf
AP9575GH/J RoHS-compliant Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Lower Gate Charge BVDSS -60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 90m Fast Switching Characteristic ID -15A G S Description G D The TO-252 package is widely preferred for commercial-industrial S TO-252(H) surface mount applications and suited for low voltage appl
ap9575gh.pdf
AP9575GH www.VBsemi.tw P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ) 100 % UIS Tested 0.061 at VGS = - 10 V - 30 APPLICATIONS - 60 10 0.072 at VGS = - 4.5 V - 26 Load Switch S TO-252 G G D S Top View D P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise noted Parameter Symb
ap9575gh-hf ap9575gj-hf.pdf
AP9575GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Lower Gate Charge BVDSS -60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 90m Fast Switching Characteristic ID -15A G RoHS Compliant S Description G D The TO-252 package is widely preferred for commercial-industrial S TO-252(H) surface mount applications and suite
ap9575gj-hf ap9575gh-hf.pdf
AP9575GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS -60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 90m Fast Switching Characteristic ID -15A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP9575 series are from Advanced Power innovated design and silicon G D S process technology to achieve th
Другие IGBT... AP4835GM-HF, AP4880GEM, AP4953GM, AP4955GM-HF, AP4957AGM-HF, AP50T03GH, AP50T03GJ, AP5523GM-HF, IRF4905, AP9575GI, AP9575GJ, AP9575GM-HF, AP9576GM-HF, AP9577GI-HF, AP9578GI-HF, AP9578GJ, AP95T07GS-HF
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
2n5550 | 2sd1047 | 2n3035 | ksc1815 | bu406 | j201 datasheet | 2n5088 datasheet | irfp064n











