Справочник MOSFET. AP9575GJ

 

AP9575GJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9575GJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: TO251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9575GJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:98K  ape
ap9575gh ap9575gj.pdfpdf_icon

AP9575GJ

AP9575GH/JRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower Gate Charge BVDSS -60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 90m Fast Switching Characteristic ID -15AGSDescriptionGDThe TO-252 package is widely preferred for commercial-industrial STO-252(H)surface mount applications and suited for low voltage appl

 ..2. Size:838K  cn vbsemi
ap9575gj.pdfpdf_icon

AP9575GJ

AP9575GJwww.VBsemi.twP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) 100 % UIS Tested0.066 at VGS = - 10 V - 20APPLICATIONS- 60 40 nC at VGS = - 4.5 V - 180.080 Load SwitchTO-251SGDP-Channel MOSFETG D STop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless otherwise noted)Par

 0.1. Size:98K  ape
ap9575gh-hf ap9575gj-hf.pdfpdf_icon

AP9575GJ

AP9575GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower Gate Charge BVDSS -60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 90m Fast Switching Characteristic ID -15AG RoHS CompliantSDescriptionGDThe TO-252 package is widely preferred for commercial-industrialSTO-252(H)surface mount applications and suite

 7.1. Size:57K  ape
ap9575gm-hf.pdfpdf_icon

AP9575GJ

AP9575GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS -60VDDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 90mD Fast Switching Characteristic ID -4AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fa

Другие MOSFET... AP4953GM , AP4955GM-HF , AP4957AGM-HF , AP50T03GH , AP50T03GJ , AP5523GM-HF , AP9575GH , AP9575GI , TK10A60D , AP9575GM-HF , AP9576GM-HF , AP9577GI-HF , AP9578GI-HF , AP9578GJ , AP95T07GS-HF , AP95T10AGR-HF , AP9685GM-HF .

History: SI9945BDY | NVTFS002N04C

 

 
Back to Top

 


 
.