AP9578GJ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AP9578GJ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для AP9578GJ
AP9578GJ Datasheet (PDF)
ap9578gh ap9578gj.pdf

AP9578GH/JRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower On-resistance BVDSS -60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 160m Fast Switching Characteristic ID -10AGSDescriptionGDThe TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrialSTO-252(H)surface mount applications and suited for low volt
ap9578gh.pdf

AP9578GH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower On-resistance D BVDSS -60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 160m Fast Switching Characteristic ID -10AGSDescriptionAP9578 series are from Advanced Power innovated design andGDSsilicon process technology to achieve the lowest possible on-TO-252(H)
ap9578gs.pdf

AP9578GS/PRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower On-resistance BVDSS -60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 160m Fast Switching Characteristic ID -10AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theGDdesigner with the best combination of fast switching,STO-263(S)ruggedized device d
ap9578gi-hf.pdf

AP9578GI-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS -60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 160m Fast Switching Characteristic ID -9AG Halogen Free & RoHS CompliantSDescriptionAP9578 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowest p
Другие MOSFET... AP5523GM-HF , AP9575GH , AP9575GI , AP9575GJ , AP9575GM-HF , AP9576GM-HF , AP9577GI-HF , AP9578GI-HF , SPP20N60C3 , AP95T07GS-HF , AP95T10AGR-HF , AP9685GM-HF , AP96LT07GP-HF , AP96T07AGP-HF , AP98T03GP , AP98T06GP-HF , AP60L02GJ .
History: SI4423DY | STW54NM65ND | SSF1016D | IPP12CN10L | SI9435
History: SI4423DY | STW54NM65ND | SSF1016D | IPP12CN10L | SI9435



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
irfp064n | tip31 transistor | 2sc1384 | mj21196g | irfb4115 | 21270 transistor | k3569 | irf640 datasheet