Справочник MOSFET. AP60U02GH

 

AP60U02GH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP60U02GH
   Маркировка: 60U02GH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
   trⓘ - Время нарастания: 90 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP60U02GH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:124K  ape
 ap60u02gh.pdf pdf_icon

AP60U02GH

AP60U02GHRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement BVDSS 25V Low On-resistance RDS(ON) 12m Fast Switching Characteristic ID 40AG RoHS CompliantSDescriptionGThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withDS TO-252(H)the best combination of fast switching, rug

 8.1. Size:122K  ape
 ap60u03gh.pdf pdf_icon

AP60U02GH

AP60U03GHRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 12m Fast Switching Characteristic ID 40AGSDescriptionThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with GDSthe best combination of fast switching, ruggedized device design, low

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IPA600N25NM3S | ZXMN0545G4

 

 
Back to Top

 


 
.