AP9477GM - описание и поиск аналогов

 

AP9477GM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9477GM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для AP9477GM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9477GM даташит

 ..1. Size:69K  ape
ap9477gm.pdfpdf_icon

AP9477GM

AP9477GM Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60V D D Lower Gate Charge RDS(ON) 90m D D Fast Switching Characteristic ID 4A G S S SO-8 S Description D The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best co

 0.1. Size:97K  ape
ap9477gm-hf.pdfpdf_icon

AP9477GM

AP9477GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60V D D Lower Gate Charge RDS(ON) 90m D D Fast Switching Characteristic ID 4A G RoHS Compliant S S SO-8 S Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, rugg

 7.1. Size:126K  ape
ap9477gk-hf.pdfpdf_icon

AP9477GM

AP9477GK-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60V D Lower Gate Charge RDS(ON) 90m S Fast Switching Characteristic ID 4.1A D RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-223 G Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switch

 9.1. Size:94K  ape
ap9475gm-hf.pdfpdf_icon

AP9477GM

AP9475GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60V D D D Lower Gate Charge RDS(ON) 40m D Fast Switching Characteristic ID 6.9A G S S RoHS Compliant & Halogen-Free S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fa

Другие MOSFET... AP9412AGM , AP9412BGM , AP9435GJ-HF , AP9435GM , AP9435GP-HF , AP9450GMT-HF , AP9468GM-HF , AP9474GM-HF , 18N50 , AP9561GM-HF , AP9563GK-HF , AP9564GM-HF , AP9565AGH-HF , AP9565AGJ-HF , AP9566GM-HF , AP6900GH-HF , AP6900GSM-HF .

History: FDB3682 | IRFS340B | WMM80R1K0S

 

 

 

 

↑ Back to Top
.