Справочник MOSFET. AP9477GM

 

AP9477GM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9477GM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для AP9477GM

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9477GM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:69K  ape
ap9477gm.pdfpdf_icon

AP9477GM

AP9477GMPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETSimple Drive Requirement BVDSS 60V DDLower Gate Charge RDS(ON) 90m DDFast Switching Characteristic ID 4A GSSSO-8SDescriptionDThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best co

 0.1. Size:97K  ape
ap9477gm-hf.pdfpdf_icon

AP9477GM

AP9477GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60VDD Lower Gate Charge RDS(ON) 90mDD Fast Switching Characteristic ID 4AG RoHS Compliant SSSO-8 SDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,rugg

 7.1. Size:126K  ape
ap9477gk-hf.pdfpdf_icon

AP9477GM

AP9477GK-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60VD Lower Gate Charge RDS(ON) 90mS Fast Switching Characteristic ID 4.1AD RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-223GDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switch

 9.1. Size:94K  ape
ap9475gm-hf.pdfpdf_icon

AP9477GM

AP9475GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60VDDD Lower Gate Charge RDS(ON) 40mD Fast Switching Characteristic ID 6.9AGSS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of fa

Другие MOSFET... AP9412AGM , AP9412BGM , AP9435GJ-HF , AP9435GM , AP9435GP-HF , AP9450GMT-HF , AP9468GM-HF , AP9474GM-HF , 75N75 , AP9561GM-HF , AP9563GK-HF , AP9564GM-HF , AP9565AGH-HF , AP9565AGJ-HF , AP9566GM-HF , AP6900GH-HF , AP6900GSM-HF .

History: MDP06N090TH | 2SK3647-01 | 2SK3710

 

 
Back to Top

 


 
.