Справочник MOSFET. AP6900GSM-HF

 

AP6900GSM-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP6900GSM-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: SO8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP6900GSM-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:127K  ape
 ap6900gsm-hf.pdf pdf_icon

AP6900GSM-HF

AP6900GSM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL MOSFET WITHElectronics Corp. SCHOTTKY DIODES1/D2 Simple Drive Requirement CH-1 BVDSS 30VS1/D2S1/D2 DC-DC Converter Suitable RDS(ON) 30m G1 Fast Switching Performance ID 5.7AS2/A RoHS Compliant CH-2 BVDSS 30VG2D1D1SO-8RDS(ON) 22mDescription ID 9.8AAdvanced Power MOSFETs from APEC p

 5.1. Size:134K  ape
 ap6900gsm.pdf pdf_icon

AP6900GSM-HF

AP6900GSMPb Free Plating ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL MOSFET WITHElectronics Corp. SCHOTTKY DIODES1/D2 Simple Drive Requirement CH-1 BVDSS 30VS1/D2S1/D2 DC-DC Converter Suitable RDS(ON) 30m G1 Fast Switching Performance ID 5.7AS2/ACH-2 BVDSS 30VG2D1SO-8RDS(ON) 22mD1Description ID 9.8AThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D1

 7.1. Size:119K  ape
 ap6900gh-hf.pdf pdf_icon

AP6900GSM-HF

AP6900GH-HFPreliminaryAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement CH-1 BVDSS 30V Fast Switching Performance RDS(ON) 6.2m Two Independent Device ID 72A Halogen Free & RoHS Compliant Product CH-2 BVDSS 30VRDS(ON) 10mDescription ID 45AAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theD1 (TAB1)designer with

 9.1. Size:59K  ape
 ap6907gh-hf.pdf pdf_icon

AP6900GSM-HF

AP6907GH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 100V Fast Switching Performance RDS(ON) 150m Two Independent Device ID 9A Halogen Free & RoHS Compliant ProductD1 (TAB1)D2 (TAB2)DescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination o

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP9477GM , AP9561GM-HF , AP9563GK-HF , AP9564GM-HF , AP9565AGH-HF , AP9565AGJ-HF , AP9566GM-HF , AP6900GH-HF , 75N75 , AP6901GH-HF , AP6902GH-HF , AP6905GH-HF , AP6907GH-HF , AP6923O , AP6950GMT-HF , AP6982GM-HF , AP6985GN2-HF .

History: NVTFS002N04C | SI9945BDY

 

 
Back to Top

 


 
.