IRF3205ZSPBF datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: IRF3205ZSPBF 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 95 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для IRF3205ZSPBF
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRF3205ZSPBF даташит
irf3205zpbf irf3205zlpbf irf3205zspbf.pdf
PD - 95129A IRF3205ZPbF IRF3205ZSPbF IRF3205ZLPbF Features l Advanced Process Technology HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance D l 175 C Operating Temperature VDSS = 55V l Fast Switching l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax RDS(on) = 6.5m l Lead-Free G Description ID = 75A S This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve e
irf3205zpbf irf3205zspbf irf3205zlpbf.pdf
PD - 95129A IRF3205ZPbF IRF3205ZSPbF IRF3205ZLPbF Features l Advanced Process Technology HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance D l 175 C Operating Temperature VDSS = 55V l Fast Switching l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax RDS(on) = 6.5m l Lead-Free G Description ID = 75A S This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve e
auirf3205zstrl.pdf
PD - 97542 AUTOMOTIVE GRADE AUIRF3205Z AUIRF3205ZS Features Advanced Process Technology HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance 175 C Operating Temperature D V(BR)DSS 55V Fast Switching RDS(on) max. 6.5m Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax G ID (Silicon Limited) 110A Lead-Free, RoHS Compliant S Automotive Qualified * ID (Package Li
irf3205z irf3205zs irf3205zl.pdf
PD - 94653B IRF3205Z AUTOMOTIVE MOSFET IRF3205ZS IRF3205ZL Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Ultra Low On-Resistance VDSS = 55V 175 C Operating Temperature Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax RDS(on) = 6.5m G Description ID = 75A Specifically designed for Automotive applications, S this HEXFET Power MOS
Другие IGBT... IRF320, IRF3205A, IRF3205H, IRF3205LPBF, IRF3205PBF, IRF3205SPBF, IRF3205ZLPBF, IRF3205ZPBF, IRFB4227, IRF321, IRF322, IRF323, IRF3305PBF, IRF330R, IRF331, IRF331R, IRF332
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASDM30DN30E | ASDM3050KQ | ASDM2305 | ASDM2301 | ASDM2300ZA | ASDM20P13S | ASDM20N90Q | ASDM20N60 | ASDM7002EZA | ASDM68N80KQ | ASDM6802ZC | ASDM60R042NQ | ASDM60P12KQ | ASDM60N80KQ | ASDM60N70Q | ASDM60N50KQ
Popular searches
mj15022 | toshiba c5198 | irf520n datasheet | tip107 | 2n5457 | k3568 | 2sc1344 | cs840f





