IRF330R datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRF330R  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO204AA

Аналог (замена) для IRF330R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF330R даташит

 ..1. Size:184K  no
 irf330r irf331r irf332r irf333r.pdf pdf_icon

IRF330R

 8.1. Size:267K  international rectifier
 irf3305pbf.pdf pdf_icon

IRF330R

PD - 95758A IRF3305PbF Features HEXFET Power MOSFET Designed to support Linear Gate Drive Applications D 175 C Operating Temperature VDSS = 55V Low Thermal Resistance Junction - Case Rugged Process Technology and Design RDS(on) = 8.0m Fully Avalanche Rated G Lead-Free ID = 75A S Description This HEXFET Power MOSFET utilizes a rugged planar process technology and dev

 8.2. Size:146K  international rectifier
 2n6760 irf330.pdf pdf_icon

IRF330R

PD - 90335F IRF330 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6760 HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6760 THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF MIL-PRF-19500/542] 400V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF330 400V 1.00 5.5A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique proces

 8.3. Size:212K  samsung
 irf330 irf331 irf332 irf333.pdf pdf_icon

IRF330R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRF3205SPBF, IRF3205ZLPBF, IRF3205ZPBF, IRF3205ZSPBF, IRF321, IRF322, IRF323, IRF3305PBF, 2N7000, IRF331, IRF331R, IRF332, IRF332R, IRF333, IRF333R, IRF3000, IRF3000PBF