Справочник MOSFET. IRF331

 

IRF331 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF331
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 350 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF331 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:212K  samsung
 irf330 irf331 irf332 irf333.pdf pdf_icon

IRF331

 0.1. Size:197K  international rectifier
 irf3315s.pdf pdf_icon

IRF331

PD - 9.1617AIRF3315S/LPRELIMINARYHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Surface Mount (IRF3315S)VDSS = 150V Low-profile through-hole (IRF3315L) 175C Operating Temperature Fast SwitchingRDS(on) = 0.082G Fully Avalanche RatedID = 21ADescriptionSFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achiev

 0.2. Size:314K  international rectifier
 auirf3315s.pdf pdf_icon

IRF331

PD - 97733AUTOMOTIVE GRADEAUIRF3315SFeaturesHEXFET Power MOSFETl Advanced Planar TechnologyDl Low On-ResistanceVDSS 150Vl Dynamic dV/dT Ratingl 175C Operating TemperatureRDS(on) max.82mGl Fast SwitchingID 21Al Fully Avalanche Rated Sl Repetitive Avalanche Allowed up toTjmaxl Lead-Free, RoHS Compliantl Automotive Qualified * DDescriptionS

 0.3. Size:231K  international rectifier
 irf3315pbf.pdf pdf_icon

IRF331

PD - 94825AIRF3315PbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Dynamic dv/dt Rating DVDSS = 150Vl 175C Operating Temperaturel Fast Switchingl Fully Avalanche RatedRDS(on) = 0.070Gl Lead-FreeDescription ID = 23ASFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per silic

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top

 


 
.