IRF1503L. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRF1503L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 2250 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm
Тип корпуса: TO262
Аналог (замена) для IRF1503L
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRF1503L даташит
irf1503lpbf irf1503spbf.pdf
PD - 95432A IRF1503SPbF IRF1503LPbF Typical Applications HEXFET Power MOSFET Industrial Motor Drive D VDSS = 30V Benefits l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance RDS(on) = 3.3m G l 175 C Operating Temperature l Fast Switching ID = 75A l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax S Description This Stripe Planar design of HEXFET Power MOSFETs utilizes th
irf1503l irf1503s.pdf
PD - 94494A IRF1503S IRF1503L Typical Applications HEXFET Power MOSFET 14V Automotive Electrical Systems D 14V Electronic Power Steering VDSS = 30V Benefits Advanced Process Technology RDS(on) = 3.3m Ultra Low On-Resistance G 175 C Operating Temperature Fast Switching ID = 75A S Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Description Specificall
irf1503.pdf
PD-94526A AUTOMOTIVE MOSFET IRF1503 Typical Applications HEXFET Power MOSFET 14V Automotive Electrical Systems D 14V Electronic Power Steering VDSS = 30V Features Advanced Process Technology RDS(on) = 3.3m Ultra Low On-Resistance G 175 C Operating Temperature Fast Switching ID = 75A S Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Description Speci
irf1503pbf.pdf
PD-95438A IRF1503PbF Typical Applications HEXFET Power MOSFET Industrial Motor Drive D VDSS = 30V Features Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance RDS(on) = 3.3m G 175 C Operating Temperature Fast Switching ID = 75A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax S Description This design of HEXFET Power MOSFETs utilizes the lastest processing techniques to
Другие MOSFET... IRLMS1503PBF-1 , IRLMS1503PBF , IRLMS1902PBF , IRLMS2002PBF , IRLMS5703PBF , IRLMS6702PBF-1 , IRLMS6702PBF , IRLMS6802PBF , STF13NM60N , IRF1503LPBF , IRF1503PBF , IRF1503SPBF , IRF150B , IRF150C , IRF150SMD , IRF1607PBF , IRF1704 .
History: IRF510STRRPBF
History: IRF510STRRPBF
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E | ASD65R350E | ASD65R300E | ASD65R280E | ASD65R270E | ASD60R330E | ASD60R280E | ASB80R750E | ASB70R380E | ASB65R300E | ASB65R220E
Popular searches
mj15025 | mp1620 | kta1381 | bf494 | 2sc1885 | skd502t | 2sb754 | 2sc2362




