IRF1503L. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRF1503L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 2250 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm
Тип корпуса: TO262
Аналог (замена) для IRF1503L
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRF1503L даташит
irf1503lpbf irf1503spbf.pdf
PD - 95432A IRF1503SPbF IRF1503LPbF Typical Applications HEXFET Power MOSFET Industrial Motor Drive D VDSS = 30V Benefits l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance RDS(on) = 3.3m G l 175 C Operating Temperature l Fast Switching ID = 75A l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax S Description This Stripe Planar design of HEXFET Power MOSFETs utilizes th
irf1503l irf1503s.pdf
PD - 94494A IRF1503S IRF1503L Typical Applications HEXFET Power MOSFET 14V Automotive Electrical Systems D 14V Electronic Power Steering VDSS = 30V Benefits Advanced Process Technology RDS(on) = 3.3m Ultra Low On-Resistance G 175 C Operating Temperature Fast Switching ID = 75A S Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Description Specificall
irf1503.pdf
PD-94526A AUTOMOTIVE MOSFET IRF1503 Typical Applications HEXFET Power MOSFET 14V Automotive Electrical Systems D 14V Electronic Power Steering VDSS = 30V Features Advanced Process Technology RDS(on) = 3.3m Ultra Low On-Resistance G 175 C Operating Temperature Fast Switching ID = 75A S Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Description Speci
irf1503pbf.pdf
PD-95438A IRF1503PbF Typical Applications HEXFET Power MOSFET Industrial Motor Drive D VDSS = 30V Features Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance RDS(on) = 3.3m G 175 C Operating Temperature Fast Switching ID = 75A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax S Description This design of HEXFET Power MOSFETs utilizes the lastest processing techniques to
Другие IGBT... IRLMS1503PBF-1, IRLMS1503PBF, IRLMS1902PBF, IRLMS2002PBF, IRLMS5703PBF, IRLMS6702PBF-1, IRLMS6702PBF, IRLMS6802PBF, STF13NM60N, IRF1503LPBF, IRF1503PBF, IRF1503SPBF, IRF150B, IRF150C, IRF150SMD, IRF1607PBF, IRF1704
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
mj15025 | mp1620 | kta1381 | bf494 | 2sc1885 | skd502t | 2sb754 | 2sc2362




