Справочник MOSFET. IRLIB9343PBF

 

IRLIB9343PBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRLIB9343PBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 150 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для IRLIB9343PBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRLIB9343PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:212K  international rectifier
 irlib9343pbf.pdf pdf_icon

IRLIB9343PBF

PD - 95745DIGITAL AUDIO MOSFETIRLIB9343PbFFeaturesl Advanced Process TechnologyKey Parametersl Key Parameters Optimized for Class-D Audio Amplifier ApplicationsVDS-55 Vl Low RDSON for Improved EfficiencyRDS(ON) typ. @ VGS = -10V m93l Low Qg and Qsw for Better THD and ImprovedRDS(ON) typ. @ VGS = -4.5V m150 EfficiencyQg typ.l Low Qrr for Better THD and Lower E

 9.1. Size:234K  international rectifier
 irlib4343.pdf pdf_icon

IRLIB9343PBF

PD - 95857ADIGITAL AUDIO MOSFETIRLIB4343Featuresl Advanced Process TechnologyKey Parametersl Key Parameters Optimized for Class-D AudioAmplifier ApplicationsVDS55 Vl Low RDSON for Improved EfficiencyRDS(ON) typ. @ VGS = 10V m:42l Low Qg and Qsw for Better THD and ImprovedRDS(ON) typ. @ VGS = 4.5V m:57EfficiencyQg typ.l Low Qrr for Better THD and Lower EMI 28

Другие MOSFET... IRLI530GPBF , IRLI540G , IRLI540GPBF , IRLI540NPBF , IRLI620GPBF , IRLI630GPBF , IRLI640GPBF , IRLIB4343 , AON7506 , IRLIZ14GPBF , IRLIZ24NPBF , IRLIZ34GPBF , IRLIZ34NPBF , IRLIZ44GPBF , IRLIZ44NPBF , IRFF9111 , IRFF9112 .

 

 
Back to Top

 


 
.