IRFL110. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFL110

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 81 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.54 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для IRFL110

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFL110 даташит

 ..1. Size:197K  international rectifier
 irfl110pbf.pdf pdf_icon

IRFL110

PD - 95317 IRFL110PbF HEXFET Power MOSFET Surface Mount D Available in Tape & Reel VDSS = 100V Dynamic dv/dt Rating Repetitive Avalanche Rated Fast Switching RDS(on) = 0.54 Ease of Paralleling G Simple Drive Requirements Lead-Free ID = 1.5A S Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast

 ..2. Size:244K  international rectifier
 irfl110.pdf pdf_icon

IRFL110

PD - 90861A IRFL110 HEXFET Power MOSFET Surface Mount D Available in Tape & Reel VDSS = 100V Dynamic dv/dt Rating Repetitive Avalanche Rated Fast Switching RDS(on) = 0.54 Ease of Paralleling G Simple Drive Requirements ID = 1.5A S Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, rug

 ..3. Size:1503K  vishay
 irfl110 sihfl110.pdf pdf_icon

IRFL110

IRFL110, SiHFL110 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition VDS (V) 100 Surface Mount RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.54 Available in Tape and Reel Qg (Max.) (nC) 8.3 Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated Qgs (nC) 2.3 Fast Switching Qgd (nC) 3.8 Ease of Paralleling Simple Drive R

 0.1. Size:1977K  cn vbsemi
 irfl110tr.pdf pdf_icon

IRFL110

IRFL110TR www.VBsemi.tw N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.100 at VGS = 10 V 5.0 TrenchFET Power MOSFETs 100 0.120 at VGS = 4.5 V 4.5 175 C Maximum Junction Temperature Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D SOT-223 D G S D G S N-Channel MOSFET AB

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFIZ34N, IRFIZ44A, IRFIZ44N, IRFIZ46N, IRFIZ48N, IRFL014, IRFL024N, IRFL1006, IRFP250N, IRFL210, IRFL214, IRFL4105, IRFL4310, IRFL9014, IRFL9110, IRFM014A, IRFM044