IRF9131 - описание и поиск аналогов

 

IRF9131. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRF9131

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO3

Аналог (замена) для IRF9131

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF9131 даташит

 8.1. Size:149K  international rectifier
 2n6804 irf9130.pdf pdf_icon

IRF9131

PD - 90549C IRF9130 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6804 HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6804 THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF MIL-PRF-19500/562] 100V, P-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF9130 -100V 0.30 -11A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique pr

 8.2. Size:520K  samsung
 irfp9130-33 irf9130-33 irf9530-33.pdf pdf_icon

IRF9131

 8.3. Size:520K  samsung
 irf9130-33 irfp9130-33 irf9530-33.pdf pdf_icon

IRF9131

 8.4. Size:18K  semelab
 irf9130smd05 irfnj9130.pdf pdf_icon

IRF9131

IRFNJ9130 IRF9130SMD05 MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) P CHANNEL POWER MOSFET 7.54 (0.296) FOR HI REL 0.76 (0.030) min. APPLICATIONS 3.175 (0.125) 2.41 (0.095) 2.41 (0.095) Max. 0.127 (0.005) 1 3 VDSS -100V ID(cont) -11A 2 RDS(on) 0.30 0.127 (0.005) FEATURES 16 PLCS 0.127 (0.005) 0.50(0.020) 0.50 (0.020) HERMETICALLY SEALED max. 7.26 (

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFF9112 , IRFF9113 , IRFF9131 , IRFF9132 , IRFF9133 , IRFF9231 , IRFF9232 , IRFF9233 , 5N60 , IRF9132 , IRF9133 , IRF9150 , IRF9151 , IRF9240SMD , IRF9241 , IRF9242 , IRF9243 .

History: LNTA7002NT1G | WMK18N70EM

 

 

 

 

↑ Back to Top
.