IRF7703 datasheet, аналоги, параметры транзистора

IRF7703 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRF7703

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 405 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 416 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: TSSOP8

Аналог (замена) для IRF7703

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

IRF7703 даташит

..1. Size:210K international rectifier
irf7703.pdf pdf_icon

PD - 94221 B IRF7703 HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance VDSS RDS(on) max (mW) ID l P-Channel MOSFET -40V 28@VGS = -10V -6.0A l Very Small SOIC Package 45@VGS = -4.5V -4.8A l Low Profile (

..2. Size:237K international rectifier
irf7703pbf.pdf pdf_icon

PD-96026A IRF7703PbF HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance VDSS RDS(on) max (mW) ID l P-Channel MOSFET -40V 28@VGS = -10V -6.0A l Very Small SOIC Package 45@VGS = -4.5V -4.8A l Low Profile (

0.1. Size:237K international rectifier
irf7703gpbf.pdf pdf_icon

PD- 96148A IRF7703GPbF HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance l P-Channel MOSFET VDSS RDS(on) max (mW) ID l Very Small SOIC Package -40V 28@VGS = -10V -6.0A l Low Profile (

8.1. Size:141K international rectifier
irf7701.pdf pdf_icon

PD - 93940 IRF7701 HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance VDSS RDS(on) max ID P-Channel MOSFET 0.011@VGS = -4.5V -10A Very Small SOIC Package -12V 0.015@VGS = -2.5V -8.5A Low Profile (