IRLU7843PBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRLU7843PBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 161 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 42 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 940 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm
Тип корпуса: TO251
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
IRLU7843PBF Datasheet (PDF)
irlr7843pbf irlu7843pbf.pdf

PD - 95440BIRLR7843PbFIRLU7843PbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Frequency Synchronous BuckVDSS RDS(on) maxQgConverters for Computer Processor Powerl High Frequency Isolated DC-DC30V 3.3m 34nC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial Usel Lead-FreeBenefitsl Very Low RDS(on) at 4.5V VGSl Ultra-Low Gate ImpedanceD-Pak I-Pakl
irlr7843cpbf irlu7843cpbf.pdf

PD - 96058AIRLR7843CPbFIRLU7843CPbFHEXFET Power MOSFETApplicationsl High Frequency Synchronous BuckVDSS RDS(on) maxQgConverters for Computer Processor Power30V 3.3m 34nCl High Frequency Isolated DC-DC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial Usel Lead-FreeBenefitsl Very Low RDS(on) at 4.5V VGSl Ultra-Low Gate Impedance D-PakI-Pak
irlu7843.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IRLU7843FEATURESWith TO-251(IPAK) packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UN
irlr7833pbf irlu7833pbf.pdf

PD - 95092CIRLR7833PbFIRLU7833PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) maxQgl High Frequency Synchronous BuckConverters for Computer Processor Power30V 4.5m 33nCl High Frequency Isolated DC-DC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial Usel Lead-FreeBenefitsl Very Low RDS(on) at 4.5V VGSD-Pak I-Pakl Ultra-Low Gate ImpedanceIR
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: BRCS1C0P06DSC | SSF2300B | IXTP6N100D2 | OSG60R099KSZF | BUK9M120-100E | SSU80R1K3S | BLF7G21LS-160P
History: BRCS1C0P06DSC | SSF2300B | IXTP6N100D2 | OSG60R099KSZF | BUK9M120-100E | SSU80R1K3S | BLF7G21LS-160P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
tip141 | 2n404 | 2n4250 | d882 transistor equivalent | 17n80c3 | bc107 transistor | rjp63g4 datasheet | 2sc1115