Справочник MOSFET. IRLR8729PBF

 

IRLR8729PBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRLR8729PBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.35 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 58 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 47 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0089 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для IRLR8729PBF

 

 

IRLR8729PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:347K  international rectifier
 irlu8729pbf irlr8729pbf.pdf

IRLR8729PBF IRLR8729PBF

PD - 97352BIRLR8729PbFIRLU8729PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsl High Frequency Synchronous BuckVDSS RDS(on) maxQgConverters for Computer Processor Power30V 8.9m 10nCl High Frequency Isolated DC-DC Converters with Synchronous RectificationD for Telecom and Industrial UseBenefitsS Sl Very Low RDS(on) at 4.5V VGSDG Gl Ultra-Low Gate Impedancel Fully C

 ..2. Size:347K  infineon
 irlr8729pbf irlu8729pbf.pdf

IRLR8729PBF IRLR8729PBF

PD - 97352BIRLR8729PbFIRLU8729PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsl High Frequency Synchronous BuckVDSS RDS(on) maxQgConverters for Computer Processor Power30V 8.9m 10nCl High Frequency Isolated DC-DC Converters with Synchronous RectificationD for Telecom and Industrial UseBenefitsS Sl Very Low RDS(on) at 4.5V VGSDG Gl Ultra-Low Gate Impedancel Fully C

 0.1. Size:232K  international rectifier
 irlr8729pbf-1.pdf

IRLR8729PBF IRLR8729PBF

IRLR8729PbF-1HEXFET Power MOSFETVDS 30 VDDRDS(on) max 8.9 m(@V = 10V)GSSQg (typical) 10 nCGGID 58 AD-PakS(@T = 25C)CIRLR8729PbF-1Features BenefitsIndustry-standard pinout D-Pak and I-Pak Multi-Vendor CompatibilityCompatible with Existing Surface Mount Techniques Easier ManufacturingRoHS Compliant, Halogen-Free Environmentally Friendlier

 6.1. Size:1635K  cn vbsemi
 irlr8729tr.pdf

IRLR8729PBF IRLR8729PBF

IRLR8729TRwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.005 at VGS = 10 V 8030 31 nC0.006 at VGS = 4.5 V 68APPLICATIONSD OR-ingTO-252 Server DC/DCGG D STop ViewSN-Channel MOSFETABSO

 6.2. Size:243K  inchange semiconductor
 irlr8729.pdf

IRLR8729PBF IRLR8729PBF

isc N-Channel MOSFET Transistor IRLR8729,IIRLR8729FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)8.9mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFully characterized avalanche voltage and currentABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drai

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top