IRLR2703PBF. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRLR2703PBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для IRLR2703PBF
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRLR2703PBF даташит
irlu2703pbf irlr2703pbf.pdf
PD- 95083A IRLR/U2703PbF HEXFET Power MOSFET l Logic-Level Gate Drive l Ultra Low On-Resistance D VDSS = 30V l Surface Mount (IRLR2703) l Straight Lead (IRLU2703) l Advanced Process Technology RDS(on) = 0.045 G l Fast Switching l Fully Avalanche Rated ID = 23A S l Lead-Free Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing te
irlr2703 irlu2703.pdf
PD- 95083A IRLR/U2703PbF HEXFET Power MOSFET l Logic-Level Gate Drive l Ultra Low On-Resistance D VDSS = 30V l Surface Mount (IRLR2703) l Straight Lead (IRLU2703) l Advanced Process Technology RDS(on) = 0.045 G l Fast Switching l Fully Avalanche Rated ID = 23A S l Lead-Free Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing te
auirlr2703tr.pdf
PD - 97620 AUTOMOTIVE GRADE AUIRLR2703 Advanced Planar Technology HEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate Drive Low On-Resistance D Dynamic dV/dT Rating V(BR)DSS 30V 175 C Operating Temperature RDS(on) max. 45m Fast Switching G ID (Silicon Limited) Fully Avalanche Rated 23A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax S ID (Package Limited) 20
irlr2703.pdf
PD- 9.1335B IRLR/U2703 PRELIMINARY HEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate Drive D Ultra Low On-Resistance VDSS = 30V Surface Mount (IRLR2703) Straight Lead (IRLU2703) RDS(on) = 0.045 G Advanced Process Technology Fast Switching ID = 23A S Fully Avalanche Rated Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to
Другие MOSFET... IRLU2705PBF , IRLU2905ZPBF , IRLU3103PBF , IRLU3110ZPBF , IRLU3114ZPBF , IRLU3303PBF , IRLU3410PBF , IRLU3636PBF , 60N06 , IRLR2705PBF , IRLR2905PBF , IRLR2905ZPBF , IRLR2908PBF , IRLR3103PBF , IRLR3105PBF , IRLR3110ZPBF , IRLR3114ZPBF .
History: TK62N60X | STM8362 | ELM32414LA | R6007KNX
History: TK62N60X | STM8362 | ELM32414LA | R6007KNX
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
irfz48 | bf494 transistor equivalent | 2sc458 pinout | bc183l | tip35 datasheet | tip36c datasheet | 2sc461 | hy1906





