IRLR2703PBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRLR2703PBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для IRLR2703PBF
IRLR2703PBF Datasheet (PDF)
irlu2703pbf irlr2703pbf.pdf

PD- 95083AIRLR/U2703PbFHEXFET Power MOSFETl Logic-Level Gate Drivel Ultra Low On-Resistance DVDSS = 30Vl Surface Mount (IRLR2703)l Straight Lead (IRLU2703)l Advanced Process TechnologyRDS(on) = 0.045Gl Fast Switchingl Fully Avalanche RatedID = 23ASl Lead-FreeDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advancedprocessing te
irlr2703 irlu2703.pdf

PD- 95083AIRLR/U2703PbFHEXFET Power MOSFETl Logic-Level Gate Drivel Ultra Low On-Resistance DVDSS = 30Vl Surface Mount (IRLR2703)l Straight Lead (IRLU2703)l Advanced Process TechnologyRDS(on) = 0.045Gl Fast Switchingl Fully Avalanche RatedID = 23ASl Lead-FreeDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advancedprocessing te
auirlr2703tr.pdf

PD - 97620AUTOMOTIVE GRADEAUIRLR2703 Advanced Planar TechnologyHEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate Drive Low On-ResistanceD Dynamic dV/dT Rating V(BR)DSS 30V 175C Operating TemperatureRDS(on) max.45m Fast SwitchingGID (Silicon Limited) Fully Avalanche Rated 23A Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxSID (Package Limited)20
irlr2703.pdf

PD- 9.1335BIRLR/U2703PRELIMINARYHEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate DriveD Ultra Low On-Resistance VDSS = 30V Surface Mount (IRLR2703) Straight Lead (IRLU2703)RDS(on) = 0.045G Advanced Process Technology Fast SwitchingID = 23A S Fully Avalanche RatedDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advancedprocessing techniques to
Другие MOSFET... IRLU2705PBF , IRLU2905ZPBF , IRLU3103PBF , IRLU3110ZPBF , IRLU3114ZPBF , IRLU3303PBF , IRLU3410PBF , IRLU3636PBF , AO4468 , IRLR2705PBF , IRLR2905PBF , IRLR2905ZPBF , IRLR2908PBF , IRLR3103PBF , IRLR3105PBF , IRLR3110ZPBF , IRLR3114ZPBF .
History: SQP60N06-15 | SM4927BSKC | RFD16N03LSM | SWN7N65D | SUN830DN | WML38N60C2 | J174
History: SQP60N06-15 | SM4927BSKC | RFD16N03LSM | SWN7N65D | SUN830DN | WML38N60C2 | J174



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
irfz48 | bf494 transistor equivalent | 2sc458 pinout | bc183l | tip35 datasheet | tip36c datasheet | 2sc461 | hy1906