IRLU120PBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRLU120PBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 64 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для IRLU120PBF
IRLU120PBF Datasheet (PDF)
irlr120pbf irlu120pbf.pdf

PD- 95382AIRLR120PbFIRLU120PbF Lead-Free12/07/04Document Number: 91324 www.vishay.com1IRLR/U120PbFDocument Number: 91324 www.vishay.com2IRLR/U120PbFDocument Number: 91324 www.vishay.com3IRLR/U120PbFDocument Number: 91324 www.vishay.com4IRLR/U120PbFDocument Number: 91324 www.vishay.com5IRLR/U120PbFDocument Number: 91324 www.vishay.com6IRLR/U12
irlu120n.pdf

PD - 91541BIRLR/U120NHEXFET Power MOSFET Surface Mount (IRLR120N)D Straight Lead (IRLU120N)VDSS = 100V Advanced Process Technology Fast SwitchingRDS(on) = 0.185 Fully Avalanche RatedGDescription ID = 10ASFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve thelowest possible on-resistance per silicon area. Th
irlr120npbf irlu120npbf.pdf

IRLR120NPbFIRLU120NPbFHEXFET Power MOSFETl Surface Mount (IRLR120N)l Straight Lead (IRLU120N)Dl Advanced Process TechnologyVDSS = 100Vl Fast Switchingl Fully Avalanche RatedRDS(on) = 0.185l Lead-FreeGDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize ID = 10ASadvanced processing techniques to achieve the lowest possibleon-resistance pe
irlr120a irlu120a.pdf

IRLR/U120AFEATURESBVDSS = 100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.22 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 8.4 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaD-PAK I-PAK Lower Leakage Current: 10A (Max.) @ VDS = 100V Lower RDS(ON): 0.176 (Typ.) 2112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum Ratings
Другие MOSFET... IRLU014PBF , IRLU024NPBF , IRLU024PBF , IRLU024ZPBF , IRLU110 , IRLU110PBF , IRLU120 , IRLU120NPBF , IRF9540 , IRLR014N , IRLR014NPBF , IRLR014PBF , IRLR024NPBF , IRLR024PBF , IRLR024ZPBF , IRLR110 , IRLR110PBF .
History: SSF90R240S2 | NTPF082N65S3F | FQD8P10TM-F085 | SSB65R090S2 | SSB80R160SFD | MTC4503LQ8
History: SSF90R240S2 | NTPF082N65S3F | FQD8P10TM-F085 | SSB65R090S2 | SSB80R160SFD | MTC4503LQ8



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
c4468 datasheet | 2sc2603 | jcs50n20wt | 2sa1360 | p60nf06 datasheet | 2sc4468 | ru6888r | 2sc1815y