Справочник MOSFET. IRLS3034PBF

 

IRLS3034PBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRLS3034PBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 195 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 827 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1980 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0017 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRLS3034PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:372K  international rectifier
irls3034pbf irlsl3034pbf.pdfpdf_icon

IRLS3034PBF

PD -97364AIRLS3034PbFIRLSL3034PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsDl DC Motor DriveVDSS 40Vl High Efficiency Synchronous Rectification in SMPSRDS(on) typ.1.4ml Uninterruptible Power Supply max. 1.7ml High Speed Power SwitchingGID (Silicon Limited) 343Al Hard Switched and High Frequency CircuitsID (Package Limited) 195ASBenefitsl Optimized for Logic

 6.1. Size:325K  international rectifier
irls3034-7ppbf.pdfpdf_icon

IRLS3034PBF

PD - 97362IRLS3034-7PPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl DC Motor DriveDl High Efficiency Synchronous Rectification in SMPSVDSS40Vl Uninterruptible Power SupplyRDS(on) typ.1.0ml High Speed Power Switchingl Hard Switched and High Frequency Circuitsmax. 1.4mGID (Silicon Limited)380AcBenefitsl Optimized for Logic Level Drive ID (Package Limited)

 6.2. Size:680K  infineon
auirls3034.pdfpdf_icon

IRLS3034PBF

AUTOMOTIVE GRADE AUIRLS3034 HEXFET Power MOSFET Features Advanced Process Technology VDSS 40V Ultra Low On-Resistance RDS(on) typ. 1.4m Logic Level Gate Drive max. 1.7m Dynamic dv/dt Rating ID (Silicon Limited) 343A 175C Operating Temperature Fast Switching ID (Package Limited) 195A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax

 6.3. Size:699K  infineon
auirls3034-7p.pdfpdf_icon

IRLS3034PBF

AUTOMOTIVE GRADE AUIRLS3034-7P HEXFET Power MOSFET Features Advanced Process Technology VDSS 40V Ultra Low On-Resistance RDS(on) typ. 1.0m Logic Level Gate Drive max. Dynamic dv/dt Rating 1.4m 175C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 380A Fast Switching ID (Package Limited) 240A Repetitive Avalanche Allowed up to T

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: KF7N68F | NCEP026N10F | PTF12N90 | SI7913DN | JCS5N50CT | MC11N005 | NVMFS5C628N

 

 
Back to Top

 


 
.