IRLML5203PBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRLML5203PBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 71 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.098 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для IRLML5203PBF
IRLML5203PBF Datasheet (PDF)
irlml5203pbf.pdf

IRLML5203PbFl Ultra Low On-ResistanceHEXFET Power MOSFETl P-Channel MOSFETVDSS RDS(on) max (mW) IDl Surface Mountl Available in Tape & Reel-30V 98@VGS = -10V -3.0Al Low Gate Charge165@VGS = -4.5V -2.6Al Lead-Freel RoHS Compliant, Halogen-FreeDescriptionG 1These P-channel MOSFETs from International Rectifier utilizeadvanced processing techniques to achieve the ext
irlml5203pbf.pdf

Product specificationIRLML5203PbFHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceVDSS RDS(on) max (mW) IDl P-Channel MOSFET-30V 98@VGS = -10V -3.0Al Surface Mount165@VGS = -4.5V -2.6Al Available in Tape & Reell Low Gate Chargel Lead-Freel Halogen-FreeDescriptionThese P-channel MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve the
irlml5203pbf-1.pdf

IRLML5203PbF-1HEXFET Power MOSFETVDS -30 VRDS(on) max 98G 1(@V = -10V)GSmRDS(on) max 165 3 D(@V = -4.5V)GSQg (typical) 9.5 nCS 2ID -3.0 A Micro3TM(@T = 25C)AFeatures BenefitsIndustry-standard pinout SOT-23 Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible with Existing Surface Mount Techniques Easier ManufacturingRoHS Compliant, Halogen-Free Env
irlml5203.pdf

PD - 93967PROVISIONALIRLML5203HEXFET Power MOSFET)VDSS RDS(on) max (m) ID))) Ultra Low On-Resistance P-Channel MOSFET -30V 98@VGS = -10V -3.0A Surface Mount165@VGS = -4.5V -2.6A Available in Tape & Reel Low Gate ChargeDescriptionThese P-channel MOSFETs from International RectifierG 1utilize advanced processing techniques to achieve theextre
Другие MOSFET... IRLML2502PBF-1 , IRLML2803GPBF , IRLML2803PBF-1 , IRLML2803PBF , IRLML5103GPBF , IRLML5103PBF , IRLML5103PBF-1 , IRLML5203GPBF , IRFB31N20D , IRLML5203PBF-1 , IRLML6244TRPBF , IRLML6246TRPBF , IRLML6302GPBF , IRLML6302PBF , IRLML6302PBF-1 , IRLML6344TRPBF , IRLML6346TRPBF .
History: HPP045N03CTA | MTM10N100E | AOD450 | APT10035B2FLL | CS13N60P
History: HPP045N03CTA | MTM10N100E | AOD450 | APT10035B2FLL | CS13N60P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2sc1313 | 2sb560 replacement | 2sd330 replacement | a1273 transistor | 2sc1384 equivalent | 2sd786 | a940 transistor | 2sc1815 replacement