IRFM360 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IRFM360
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 140(max) ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 900 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
Тип корпуса: TO254AA
Аналог (замена) для IRFM360
IRFM360 Datasheet (PDF)
irfm360.pdf

PD - 90712BIRFM360POWER MOSFET 400V, N-CHANNELHEXFET MOSFET TECHNOLOGYTHRU-HOLE (TO-254AA)Product SummaryPart Number RDS(on) IDIRFM360 0.20 23AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state re-sistance combined with high transconductance. HEXFET T
irfm340.pdf

PD - 90490DIRFM340JANTX2N7221JANTXV2N7221POWER MOSFETREF:MIL-PRF-19500/596THRU-HOLE (TO-254AA) 400V, N-CHANNELProduct SummaryHEXFET MOSFET TECHNOLOGYPart Number RDS(on) IDIRFM340 0.55 10AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state re-si
irfm350.pdf

PD - 90491DIRFM350JANTX2N7227JANTXV2N7227POWER MOSFETREF:MIL-PRF-19500/592THRU-HOLE (TO-254AA) 400V, N-CHANNELProduct SummaryHEXFET MOSFET TECHNOLOGYPart Number RDS(on) IDIRFM350 0.315 14AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state re-s
irfm3205.pdf

IRFM3205MECHANICAL DATANCHANNELDimensions in mm (inches)POWER MOSFET13.59 (0.535) 6.32 (0.249)13.84 (0.545) 6.60 (0.260)3.53 (0.139) 1.02 (0.040)Dia. VDSS 55V3.78 (0.149) 1.27 (0.050)ID(cont) 35ARDS(on) 0.015FEATURES1 2 3 NCHANNEL MOSFET HERMETIC ISOLATED TO-254 PACKAGE CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGEOPTION0.89 (0.035)1.14 (0.045)3.81
Другие MOSFET... IRFM210A , IRFM214A , IRFM220A , IRFM224A , IRFM240 , IRFM250 , IRFM340 , IRFM350 , IRF1407 , IRFM440 , IRFM460 , IRFM9140 , IRFM9240 , IRFN044 , IRFN054 , IRFN130 , IRFN140 .
History: WMM08N80M3 | WSD3810DN | TK12D60U | S15H12RP | RCD041N25 | SSF2418EB | S10H12S
History: WMM08N80M3 | WSD3810DN | TK12D60U | S15H12RP | RCD041N25 | SSF2418EB | S10H12S



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
hy1d datasheet | mp20a transistor | mrf450 | oc70 transistor | p0603bd mosfet | p157r5nt | ptp03n04n | sm4377 mosfet datasheet