IRFJ240 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IRFJ240
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
Тип корпуса: TO213AA
Аналог (замена) для IRFJ240
IRFJ240 Datasheet (PDF)
irfj240.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFJ240DESCRIPTIONDrain Current I = 13A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 200V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.18(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low voltage, high speed power switchingapplica
Другие MOSFET... IRLH5036PBF , IRLH6224PBF , IRLH7134PBF , IRLD014PBF , IRLD024PBF , IRLD110PBF , IRLD120PBF , IRLF120 , IRF540N , IRFV064 , IRFV260 , IRFV360 , IRFV460 , IRFW610B , IRFI630B , IRFW710B , IRFI064 .
History: SI4425DY-T1-E3
History: SI4425DY-T1-E3



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP50N20MP | AP50N10P | AP50N10D | AP50N06NF | AP50N06D | AP50N05D | AP50N04D | AP50N03DF | AP50N03D | AP50N03AD | AP50H06NF | AP50G03GD | AP4P05MI | AP4N15MI | AP4N10MI | AP2320MI
Popular searches
2sb600 | 2sa1209 | 2sc1364 replacement | 2sd665 | 7506 mosfet datasheet | 2sb1186a | a1695 datasheet | 3415 transistor