IRFI4229PBF. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRFI4229PBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.046 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для IRFI4229PBF
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRFI4229PBF даташит
irfi4229pbf.pdf
PD - 97201B IRFI4229PbF PDP SWITCH Features Key Parameters l Advanced Process Technology VDS max 250 V l Key Parameters Optimized for PDP Sustain, VDS (Avalanche) typ. 300 V Energy Recovery and Pass Switch Applications l Low EPULSE Rating to Reduce Power RDS(ON) typ. @ 10V m 38 Dissipation in PDP Sustain, Energy Recovery IRP max @ TC= 100 C 32 A and Pass Switch Applications
irfi4229pbf.pdf
IRFI4229PbF Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Key Parameters Key Parameters Optimized for PDP Sustain, VDS max 250 V Energy Recovery and Pass Switch Applications Low EPULSE Rating to Reduce Power VDS (Avalanche) typ. 300 V Dissipation in PDP Sustain, Energy Recovery RDS(ON) typ. @ 10V 38 m and Pass Switch Applications Low QG
irfi4229.pdf
INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor IRFI4229 FEATURES With TO-220F package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Reduced switching and conduction losses 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T
irfi4227pbf.pdf
PD - 97036B IRFI4227PbF PDP SWITCH Features Key Parameters l Advanced Process Technology VDS max 200 V l Key Parameters Optimized for PDP Sustain, Energy Recovery and Pass Switch Applications VDS (Avalanche) typ. 240 V l Low EPULSE Rating to Reduce Power m RDS(ON) typ. @ 10V 21 Dissipation in PDP Sustain, Energy Recovery IRP max @ TC= 100 C 47 A and Pass Switch Applications
Другие MOSFET... IRFI1010NPBF , IRFI1310NPBF , IRFI260 , IRFI3205PBF , IRFI360 , IRFI4110GPBF , IRFI4227PBF , IRFI4228PBF , 2N7000 , IRFI4321PBF , IRFI4410ZGPBF , IRFI4410ZPBF , IRFI510G , IRFI510GPBF , IRFI520G , IRFI520GPBF , IRFI530G .
History: IPD122N10N3
History: IPD122N10N3
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
2sb649 | 2sb324 transistor | b754 transistor | 2sc828 equivalent | 4843ns | 2sc1318 datasheet | 2sc3281 datasheet | 2sa1106




